[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811270397.0
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109390413B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 操彬彬
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括設置于基板上的有源層以及與所述有源層接觸的源極和漏極；其中，所述源極和所述漏極包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層，且所述第一金屬層相對于所述第二金屬層靠近所述有源層；

所述源極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述源極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積；

和/或，所述漏極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述漏極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積；

所述源極中的第二金屬層在靠近溝道區域一側的邊緣與所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣之間的距離，至少在部分區域大于所述溝道區域的長度；

所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離為2μm～7μm；

所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離為2μm～7μm。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處到所述溝道區域的距離均為第一距離；

所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離均為第二距離。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一距離與所述第二距離相等。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述薄膜晶體管包括依次設置于所述基板上的柵極、柵極絕緣層、所述有源層、源漏圖案層；所述源漏圖案層包括所述源極和所述漏極。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二金屬層的材質包括銅。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6所述的陣列基板。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基板上形成有源層；

在基板上形成包括層疊設置的第一金屬層和第二金屬層、且與所述有源層接觸的源極和漏極包括：

在形成有所述有源層的基板上形成依次形成第一金屬薄膜和第二金屬薄膜，并通過一次構圖工藝形成初始源極和初始漏極；

在形成有所述初始源極和所述初始漏極的基板上形成阻蝕層，通過研磨工藝對所述阻蝕層進行研磨，以暴露出位于所述初始源極、所述初始漏極與所述有源層接觸的區域中的第二金屬薄膜，并采用刻蝕工藝對暴露區域的第二金屬薄膜進行刻蝕，以形成包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層的所述源極和所述漏極；其中，所述第一金屬層相對于所述第二金屬層靠近所述有源層；所述源極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述源極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積；和/或，所述漏極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述漏極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積；

所述采用刻蝕工藝對該暴露區域的第二金屬薄膜進行刻蝕，以形成包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層的所述源極和所述漏極包括：

通過控制刻蝕程度，使得形成的所述源極和所述漏極中的第二金屬層在靠近溝道區域一側的邊緣到溝道區域的距離為2μm～7μm。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成有源層之前，所述制作方法還包括：在基板上依次形成柵極、柵極絕緣層。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述研磨工藝包括化學研磨工藝、機械研磨工藝中的至少一種。

11.根據權利要求8所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述在基板上形成包括層疊設置的第一金屬層和第二金屬層、且與所述有源層接觸的源極和漏極包括：

在基板上形成第一金屬薄膜，并通過構圖工藝形成所述源極和所述漏極中的第一金屬層；

在基板上形成第二金屬薄膜，并通過構圖工藝形成所述源極和所述漏極中的第二金屬層。