[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811270397.0
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109390413B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 操彬彬
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，涉及電子器件領域，能夠降低源極和/或漏極中的第二金屬層中的金屬原子擴散至溝道區域的幾率；該薄膜晶體管包括設置于基板上的有源層以及與有源層接觸的源極和漏極；其中，源極和漏極包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層，且第一金屬層相對于第二金屬層靠近有源層；源極中的第二金屬層與有源層在基板上的正投影的交疊區域的面積，小于源極中的第一金屬層與有源層在基板上的正投影的交疊區域的面積；和/或，漏極中的第二金屬層與有源層在基板上的正投影的交疊區域的面積，小于漏極中的第一金屬層與有源層在基板上的正投影的交疊區域的面積。

技術領域

本發明涉及電子器件領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)作為一種常用電子器件，在電子領域具有廣泛的應用。薄膜晶體管一般包括柵極、有源層、源極和漏極等，在一些薄膜晶體管中源極和漏極采用雙層金屬結構，然而，上層金屬擴散至有源層中的溝道位置處，從而對薄膜晶體管的特性造成不良影響，使得薄膜晶體管的穩定性降低；例如降低了薄膜晶體管的開態電流等。

發明內容

本發明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠降低源極和/或漏極中的第二金屬層中的金屬原子擴散至溝道區域的幾率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例提供一種薄膜晶體管，包括設置于基板上的有源層以及與所述有源層接觸的源極和漏極；其中，所述源極和所述漏極包括層疊設置的第一金屬層、第二金屬層，且所述第一金屬層相對于所述第二金屬層靠近所述有源層；所述源極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述源極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積；和/或，所述漏極中的第二金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積，小于所述漏極中的第一金屬層與所述有源層在所述基板上的正投影的交疊區域的面積。

在一些實施例中，所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣，與所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣之間的距離，至少在部分區域大于所述溝道區域的長度。

在一些實施例中，所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離均大于零。

在一些實施例中，所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離均大于零。

在一些實施例中，所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處到所述溝道區域的距離均為第一距離。

在一些實施例中，所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離均為第二距離。

在一些實施例中，所述第一距離與所述第二距離相等。

在一些實施例中，所述源極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離為2μm～7μm。

在一些實施例中，所述漏極中的第二金屬層在靠近所述溝道區域一側的邊緣在任意位置處，到所述溝道區域的距離為2μm～7μm。

在一些實施例中，所述薄膜晶體管包括依次設置于所述基板上的柵極、柵極絕緣層、所述有源層、源漏圖案層；所述源漏圖案層包括所述源極和所述漏極。

在一些實施例中，所述第二金屬層的材質包括銅。

本發明實施例還提供一種陣列基板，包括前述的薄膜晶體管。

本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括前述的陣列基板。