[發(fā)明專利]一種圖形的修剪方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811269755.6
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN111106005A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹思盛;張潔;劉身健
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/305
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

本申請?zhí)峁┝艘环N圖形的修剪方法，在修剪圖形中，采用的偏置功率為0～50W，相較于常規(guī)修剪過程中采用的偏置功率，該偏置功率較小，為低偏置功率。因此，即使光刻膠已經(jīng)被除去，也可以采用該工藝條件直接對圖形進(jìn)行修剪，如此，避免了光刻膠對圖形的影響，進(jìn)而有利于提高圖形的輪廓質(zhì)量。另外，因該偏置功率較小，因此，在對圖形修剪過程中，刻蝕氣體幾乎不會與未被圖形覆蓋的底部材料層進(jìn)行反應(yīng)，所以，不會在底部材料層上形成凹槽。此外，本申請還提供了一種等離子體處理裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖形的修剪方法及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，為了保證同一產(chǎn)品在性能上具有一致性，要求同一批產(chǎn)品中的產(chǎn)品間的刻蝕后關(guān)鍵尺寸必須被控制在一定范圍內(nèi)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了能夠精確控制產(chǎn)品的關(guān)鍵尺寸，需要對圖形或器件進(jìn)行修剪。

圖形的修剪工藝的原理是采用刻蝕氣體對圖形進(jìn)行干法刻蝕，從而進(jìn)一步對圖形尺寸進(jìn)行修正，以此來精確控制圖形的精度，從而達(dá)到精確控制產(chǎn)品關(guān)鍵尺寸的目的。

然而，現(xiàn)有圖形的修剪方法存在以下問題：修剪后的圖形的輪廓質(zhì)量較差，且在修剪過程中，刻蝕氣體也會同時(shí)刻蝕未被圖形覆蓋的底部材料層，從而在底部材料上形成凹槽。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环N圖形的修剪方法及等離子體處理裝置，以解決上述現(xiàn)有圖形的修剪方法存在的技術(shù)問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請采用了如下技術(shù)方案：

一種圖形的修剪方法，所述方法包括：

提供待修剪圖形；

修剪所述待修剪圖形；

其中，對圖形進(jìn)行修剪的工藝條件具體如下：

刻蝕氣體：含氟氣體，

氣體流量：100～500sccm；

腔體壓力：2～50mTorr；

源功率：500～1000W；

偏置功率：0～50W。

可選地，所述含氟氣體包括：

NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一種。

可選地，所述刻蝕氣體中還包括惰性氣體。

可選地，所述惰性氣體包括氦氣。

可選地，所述圖形為設(shè)置于硬掩模板上的掩模圖形或者設(shè)置于襯底上的器件圖形。

可選地，所述硬掩模板包括雙圖案化硬掩模板。

可選地，所述掩模圖形的上方覆蓋有底反射層，所述底反射層的上方設(shè)置有光刻膠圖形，所述修剪所述待修剪圖形之前，所述方法還包括：

所述光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到所述底反射層，以使掩模圖形中的一部分暴露出，另一部分被殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層覆蓋；

所述修剪圖形具體包括：

以殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層為掩蔽，采用所述工藝條件對暴露出的圖形進(jìn)行修剪。

可選地，對圖形進(jìn)行修剪后，所述方法還包括：

剝離所述殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層。

可選地，所述圖形位于待刻蝕層的上方；