[發(fā)明專利]一種圖形的修剪方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811269755.6
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN111106005A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹思盛;張潔;劉身健
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/305
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

1.一種圖形的修剪方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待修剪圖形；

修剪所述待修剪圖形；

其中，對圖形進(jìn)行修剪的工藝條件具體如下：

刻蝕氣體：含氟氣體，

氣體流量：100～500sccm；

腔體壓力：2～50mTorr；

源功率：500～1000W；

偏置功率：0～50W。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟氣體包括：

NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體中還包括惰性氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氦氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖形為設(shè)置于硬掩模板上的掩模圖形或者設(shè)置于襯底上的器件圖形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述硬掩模板包括雙圖案化硬掩模板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩模圖形的上方覆蓋有底反射層，所述底反射層的上方設(shè)置有光刻膠圖形，所述修剪所述待修剪圖形之前，所述方法還包括：

所述光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到所述底反射層，以使掩模圖形中的一部分暴露出，另一部分被殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層覆蓋；

所述修剪圖形具體包括：

以殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層為掩蔽，采用所述工藝條件對暴露出的圖形進(jìn)行修剪。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對圖形進(jìn)行修剪后，所述方法還包括：

剝離所述殘留的底反射層或者殘留的光刻膠和底反射層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其特征在于，所述圖形位于待刻蝕層的上方；

所述修剪所述待修剪圖形之后，還包括：

以修剪后的圖形為掩蔽，刻蝕所述待刻蝕層。

10.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有基座，所述基座用于放置待處理基片；其中，所述反應(yīng)腔內(nèi)的刻蝕氣體為含氟氣體，

刻蝕氣體流量為100～500sccm；

反應(yīng)腔的腔體壓力為2～50mTorr；

源功率為500～1000W；

偏置功率為0～50W。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述含氟氣體包括：NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一種。