[發(fā)明專利]柔性顯示屏的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811268383.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN109360846B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮雪;葉柳順;王宙恒;李海成;陳穎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);浙江清華柔性電子技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種柔性顯示屏的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底的一面依次生成N型半導(dǎo)體層、量子阱層和P型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層、所述量子阱層和所述P型半導(dǎo)體層構(gòu)成功能層；

對(duì)所述功能層進(jìn)行刻蝕，形成P型電極區(qū)域和N型電極區(qū)域；

在所述P型電極區(qū)域的對(duì)應(yīng)位置生成P型透明電極，在所述N型電極區(qū)域的對(duì)應(yīng)位置生成N型金屬電極，形成多個(gè)發(fā)光器件；

將所述多個(gè)發(fā)光器件刻蝕分離為多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件；

對(duì)所述多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件進(jìn)行互聯(lián)；

將互聯(lián)后的多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件轉(zhuǎn)印至柔性襯底；

去除所述半導(dǎo)體襯底，形成所述柔性顯示屏。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述功能層進(jìn)行刻蝕，形成P型電極區(qū)域和N型電極區(qū)域，包括：

在所述功能層上生成第一掩膜保護(hù)層；

將第一掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到所述第一掩膜保護(hù)層上，暴露出待刻蝕的第一區(qū)域；

對(duì)所述第一區(qū)域進(jìn)行刻蝕，去除所述第一區(qū)域的功能層中的P型半導(dǎo)體層、量子阱層和第一厚度的N型半導(dǎo)體層，形成N型電極區(qū)域；

去除所述第一掩膜保護(hù)層，

其中，所述功能層上除所述N型電極區(qū)域之外的區(qū)域?yàn)镻型電極區(qū)域，所述第一厚度為0.3μm～1.2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述P型電極區(qū)域的對(duì)應(yīng)位置生成P型透明電極，在所述N型電極區(qū)域的對(duì)應(yīng)位置生成N型金屬電極，形成多個(gè)發(fā)光器件，包括：

以第二掩膜版為掩膜，在所述P型電極區(qū)域上制備P型透明電極圖形；

采用物理氣相沉積的方式，在所述P型透明電極圖形上生成P型透明電極；

以第三掩膜版為掩膜，在所述N型電極區(qū)域上制備N型金屬電極圖形；

在所述N型金屬電極圖形上生成N型金屬電極，形成多個(gè)發(fā)光器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積的方式，在所述P型透明電極圖形上生成P型透明電極之后，還包括：

在氧氣環(huán)境下，對(duì)生成的P型透明電極進(jìn)行退火處理，

其中，退火溫度為450℃～650℃，退火時(shí)間為3min～5min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件進(jìn)行互聯(lián)，包括：

將相鄰的兩個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件的N型金屬電極通過互聯(lián)導(dǎo)線連接；

在所述多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件上生成鈍化層；

對(duì)所述鈍化層上與所述P型透明電極相對(duì)應(yīng)的位置進(jìn)行刻蝕，形成電極窗口；

將相鄰的兩個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件上所述電極窗口中暴露的P型透明電極通過互聯(lián)導(dǎo)線連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述鈍化層的材料為氮化硅，所述鈍化層的厚度為0.3μm～0.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在將互聯(lián)后的多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件轉(zhuǎn)印至柔性襯底之前，所述方法還包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的另一面進(jìn)行減薄處理；

其中，所述半導(dǎo)體襯底的另一面是所述半導(dǎo)體襯底與設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立發(fā)光器件的一面相對(duì)的一面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體層為N型摻雜的氮化鎵層，所述P型半導(dǎo)體層為P型摻雜的氮化鎵層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述P型透明電極的材料包括氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、摻銦氧化鋅、摻氟氧化錫和摻鋁鋅氧化錫中的任一種，所述N型金屬電極的材料包括鎳、金、鈦和鉻中的任意兩種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅基半導(dǎo)體襯底。