[發明專利]柔性顯示屏的制造方法有效
| 申請號: | 201811268383.5 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN109360846B | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 馮雪;葉柳順;王宙恒;李海成;陳穎 | 申請(專利權)人: | 清華大學;浙江清華柔性電子技術研究院 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示屏 制造 方法 | ||
本公開涉及一種柔性顯示屏的制造方法。該方法包括:在半導體襯底的一面依次生成N型半導體層、量子阱層和P型半導體層,N型半導體層、量子阱層和P型半導體層構成功能層;對功能層進行刻蝕,形成P型電極區域和N型電極區域;在P型電極區域的對應位置生成P型透明電極,在N型電極區域的對應位置生成N型金屬電極,形成多個發光器件;將多個發光器件刻蝕分離為多個獨立發光器件;對多個獨立發光器件進行互聯;將互聯后的多個獨立發光器件轉印至柔性襯底;去除半導體襯底,形成柔性顯示屏。本公開的方法所生產的柔性顯示屏的厚度薄、柔性高、化學性能穩定、機械性強、分辨率高、出光效率高、適用范圍廣,能夠滿足用戶的使用需求。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域,尤其涉及一種柔性顯示屏的制造方法。
背景技術
柔性屏幕,亦稱OLED,具有低功耗、可彎曲的特性。隨著可穿戴設備的發展,柔性屏幕憑借其體積輕薄、功耗低、柔韌性好,耐用程度高、意外損傷低等優點,逐漸進入大眾視野。隨著科技的不斷發展,對柔性屏幕厚度、柔性等需求的不斷提高,但相關技術中所生產的柔性屏幕的厚度和柔性難以滿足現有使用需求。因此,如何提供一種厚度和柔性能夠滿足使用需求的柔性顯示屏是亟待解決的問題。
發明內容
有鑒于此,本公開提出了一種柔性顯示屏的制造方法。
根據本公開的一方面,提供了一種柔性顯示屏的制造方法,所述方法包括:
在半導體襯底的一面依次生成N型半導體層、量子阱層和P型半導體層,所述N型半導體層、所述量子阱層和所述P型半導體層構成功能層;
對所述功能層進行刻蝕,形成P型電極區域和N型電極區域;
對所述P型電極區域的對應位置生成P型透明電極,在所述N型電極區域的對應位置生成N型金屬電極,形成多個發光器件;
將所述多個發光器件刻蝕分離為多個獨立發光器件;
對所述多個獨立發光器件進行互聯;
將互聯后的多個獨立發光器件轉印至柔性襯底;
去除所述半導體襯底,形成所述柔性顯示屏。
對于上述方法,在一種可能的實現方式中,對所述功能層進行刻蝕,形成P型電極區域和N型電極區域,包括:
在所述功能層上生成第一掩膜保護層;
將第一掩膜版圖形轉移到所述第一掩膜保護層上,暴露出待刻蝕的第一區域;
對所述第一區域進行刻蝕,去除所述第一區域的功能層中的P型半導體層,量子阱層和第一厚度的N型半導體層,形成N型電極區域;
去除所述第一掩膜保護層,
其中,所述功能層上除所述N型電極區域之外的區域為P型電極區域,所述第一厚度為0.3μm~1.2μm。
對于上述方法,在一種可能的實現方式中,在所述P型電極區域的對應位置生成P型透明電極,在所述N型電極區域的對應位置生成N型金屬電極,形成多個發光器件,包括:
以第二掩膜版為掩膜,在所述P型電極區域上制備P型透明電極圖形;
采用物理氣相沉積的方式,在所述P型透明電極圖形上生成P型透明電極;
以第三掩膜版為掩膜,在所述N型電極區域上制備N型金屬電極圖形;
在所述N型金屬電極圖形上生成N型金屬電極,形成多個發光器件。
對于上述方法,在一種可能的實現方式中,采用物理氣象沉積的方式,在所述P型透明電極圖形上生成P型透明電極之后,還包括:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學;浙江清華柔性電子技術研究院,未經清華大學;浙江清華柔性電子技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811268383.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





