[發明專利]光信號采集裝置和刻蝕設備有效
| 申請號: | 201811267644.1 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN111105972B | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | 侯文潭;郭士選;曹永友;樓豐瑞;石鍺元 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 信號 采集 裝置 刻蝕 設備 | ||
本發明提供一種光信號采集裝置,所述光信號采集裝置包括安裝套筒、光信號收集件和透光件。所述光信號收集件包括導光腔,所述光信號收集件的導光腔的入口形成在所述光信號收集件的一端。所述安裝套筒與所述光信號收集件上形成有所述導光腔的入口的一端固定連接。所述透光件設置在安裝套筒內或所述安裝套筒與所述光信號收集件之間,且從安裝套筒的內腔出射的光能夠穿過所述透光件進入所述導光腔。本發明還提供一種包括該光信號采集裝置的刻蝕設備,在拆裝所述刻蝕設備時,可以先將所述光信號采集裝置以整體形式拆裝,從而可以節省設備拆裝的時間成本,提高生產效率。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,具體地,涉及一種光信號采集裝置和一種包括該光信號采集裝置的刻蝕設備。
背景技術
在集成電路(IC,Integrated Circuit)的制造工藝中,刻蝕機是必不可少的設備,隨著刻蝕制程的逐漸減小和wafer膜層結構的逐漸復雜,對刻蝕過程的控制和監測變得尤為重要。現有的控制方法主要是光學發射光譜(OES,Optical Emission Spectroscopy)方法,對刻蝕工藝中的等離子體的光譜進行收集,從而實現對等離子體的實時監測,通過對光譜的分析和比較實現對工藝過程的控制。
現有的光信號采集裝置結構如圖1所示。其關鍵零件包括OES觀察窗套筒101、OES觀察窗102、觀察窗安裝法蘭103、OES連接件安裝法蘭104、OES連接件105及保護窗108。其中OES連接件105為信號放大裝置,后接采集分析系統,用于輝光的收集和分析。
安裝時,需在刻蝕腔的壁210上逐個安裝上述零件,拆卸時,對于OES觀察窗套筒101及其內部的保護窗108,則需拆卸內襯220后,從對側頂出,步驟過多且耗時較長。
因此,如何簡化光信號采集裝置的拆卸步驟、提高拆卸和安裝效率成為本領域亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種光信號采集裝置和一種包括該光信號采集裝置的刻蝕設備,所述光信號采集裝置易于安裝。
為了實現上述目的,作為本發明的一個方面,提供一種光信號采集裝置,所述光信號采集裝置包括安裝套筒、光信號收集件和透光件。
所述光信號收集件包括導光腔,所述光信號收集件的導光腔的入口形成在所述光信號收集件的一端,所述安裝套筒與所述光信號收集件上形成有所述導光腔的入口的一端固定連接。
所述透光件設置在所述安裝套筒內或所述安裝套筒和所述光信號收集件之間,且從安裝套筒的內腔出射的光能夠穿過所述透光件進入所述導光腔。
優選地,所述光信號收集件包括第一固定凸緣和收集本體。所述導光腔形成在所述收集本體中,所述第一固定凸緣設置在所述光信號收集件上形成有所述導光腔的入口的一端,且環繞收集本體的外表面設置。
所述光信號采集裝置還包括壓環,所述壓環包括第一安裝孔,所述收集本體的一部分設置在所述第一安裝孔中,以使得所述壓環環繞所述收集本體設置,且所述第一安裝孔的直徑小于所述第一固定凸緣的外徑,并且,所述壓環通過緊固件與所述安裝套筒固定連接。
作為本發明的一種優選實施方式,優選地,所述安裝套筒包括安裝筒部和第二固定凸緣,所述第二固定凸緣設置在安裝筒部用于與所述光信號收集件固定的一端,且環繞所述安裝筒部的外表面設置。所述第二固定凸緣與所述壓環相對設置,所述緊固件連接所述第二固定凸緣和所述壓環。
優選地,所述安裝套筒與所述光信號收集件之間的連接為密封連接。密封的形式包括但并不限于密封圈密封、墊片密封、油封。
優選地,所述壓環上形成有第一頂絲孔,所述第一頂絲孔沿厚度方向貫穿所述壓環。所述第二固定凸緣上形成有第二頂絲孔,所述第二頂絲孔沿厚度方向貫穿所述第二固定凸緣,且所述第一頂絲孔與所述第二頂絲孔同軸設置。
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