[發(fā)明專(zhuān)利]一種功率器件的CSP封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811267602.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109473362B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海朕芯微電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/373
• 代理公司: 上海天翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31224
• 代理人: 呂伴

本發(fā)明公開(kāi)的一種功率器件的CSP封裝方法，其包括如下步驟：步驟1：完成晶圓前道制程步驟；步驟2：晶圓正面RDL制程，包括鈍化和銅覆蓋層制程步驟；步驟3：晶圓正面塑封步驟；步驟4：晶圓正面研磨步驟；步驟5：晶圓背面減薄及金屬化步驟；步驟6：晶圓背面蝕刻步驟；步驟7：晶圓背面第一次介質(zhì)沉積及蝕刻步驟；步驟8：晶圓背面金屬濺射及蝕刻步驟；步驟9：晶圓背面第二次介質(zhì)沉積及蝕刻步驟；步驟10：晶圓背面植球步驟；步驟11：切片步驟。本發(fā)明對(duì)晶圓正面的塑封層進(jìn)行研磨，將銅覆蓋層表面露出，有利于散熱。本發(fā)明對(duì)晶圓的正面進(jìn)行塑封，除了可以保護(hù)之外，還可以起到支撐的作用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種功率器件的CSP封裝方法。

背景技術(shù)

通常地，功率器件的電極會(huì)在芯片的兩側(cè)。通常來(lái)講，對(duì)于功率MOSFET 而言，芯片正面有源極(Source)和柵極(Gate)，背面有漏極(Drain)；對(duì)于功率雙極器件而言，芯片的正面有發(fā)射極(Emitter)和基極(Base)，芯片背面有集電極(Collector)。

所謂CSP封裝(Chip Scale Package)，通常都是用Solder Ball或Cu Pillar 之類(lèi)的連接方式，直接將芯片表面的電極連接出來(lái)，因此要求所有的壓焊點(diǎn)在芯片的一側(cè)。

從以上描述來(lái)看，對(duì)于功率器件而言，要想用CSP的方式來(lái)封裝，勢(shì)必要把其中一個(gè)電極引到芯片的另一側(cè)。之前的方法，用擴(kuò)散區(qū)來(lái)將電極引到另一側(cè)的結(jié)構(gòu)。但此擴(kuò)散區(qū)域需占用芯片面積，且長(zhǎng)時(shí)間擴(kuò)散也會(huì)改變器件中雜質(zhì)分布，這樣勢(shì)必會(huì)重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品的流程。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于針對(duì)現(xiàn)有的功率器件CSP封裝方法所存在的不足而提供一種新的功率器件的CSP封裝方法。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種功率器件的CSP封裝方法，包括如下步驟：

步驟1：完成晶圓前道制程步驟

在晶圓的正面形成若干包含源極和柵極的管芯，相鄰管芯之間通過(guò)劃片道隔離開(kāi)來(lái)，在每一管芯的源極與柵極之間采用第一鈍化層隔離開(kāi)來(lái)；在晶圓的背面形成漏極；

步驟2：晶圓正面RDL制程步驟

首先在晶圓表面制作一層絕緣層即第二鈍化層；然后在管芯的源極和柵極上形成一銅覆蓋層，且源極及柵極上的銅覆蓋層需跨過(guò)晶圓的劃片道即在第二鈍化層上有源極和柵極的銅覆蓋層；

步驟3：晶圓正面塑封步驟

對(duì)晶圓的正面進(jìn)行晶圓級(jí)塑封，其中塑封層覆蓋在所述銅覆蓋層的表面并且填充進(jìn)源極和柵極的銅覆蓋層間的間隙；

步驟4：晶圓正面研磨步驟

研磨晶圓正面的塑封層，讓所述銅覆蓋層表面露出，但是源極和柵極之間的塑封層依然保留；

步驟5：晶圓背面減薄及金屬化步驟

對(duì)晶圓的背面進(jìn)行減薄化處理，然后在減薄化處理后的晶圓背面進(jìn)行金屬化，形成一金屬化層，所述金屬化層與所述漏極電接觸；

步驟6：晶圓背面蝕刻步驟

將晶圓背面對(duì)應(yīng)到晶圓正面劃線(xiàn)道的位置處蝕刻至晶圓正面的銅覆蓋層位置；

步驟7：晶圓背面第一次介質(zhì)沉積及蝕刻步驟

在晶圓背面進(jìn)行介質(zhì)沉積形成一第一介質(zhì)絕緣層，所述第一介質(zhì)絕緣層與銅覆蓋層接觸并覆蓋在所述金屬化層的表面；然后對(duì)每一管芯上的第一介質(zhì)絕緣層進(jìn)行光刻及蝕刻，暴露出管芯背面的漏極和劃片道上的銅覆蓋層以及源極和柵極的銅覆蓋層；

步驟8：晶圓背面金屬濺射及蝕刻步驟