[發(fā)明專利]一種功率器件的CSP封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811267602.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN109473362B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海朕芯微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/373
• 代理公司: 上海天翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31224
• 代理人: 呂伴

1.一種功率器件的CSP封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：完成晶圓前道制程步驟

在晶圓的正面形成若干包含源極和柵極的管芯，相鄰管芯之間通過劃片道隔離開來，在每一管芯的源極與柵極之間采用第一鈍化層隔離開來；在晶圓的背面形成漏極；

步驟2：晶圓正面RDL制程步驟

首先在晶圓表面制作一層絕緣層即第二鈍化層；然后在管芯的源極和柵極上形成一銅覆蓋層，且源極及柵極上的銅覆蓋層需跨過晶圓的劃片道即在第二鈍化層上有源極和柵極的銅覆蓋層；

步驟3：晶圓正面塑封步驟

對(duì)晶圓的正面進(jìn)行晶圓級(jí)塑封，其中塑封層覆蓋在所述銅覆蓋層的表面并且填充進(jìn)源極和柵極的銅覆蓋層間的間隙；

步驟4：晶圓正面研磨步驟

研磨晶圓正面的塑封層，讓所述銅覆蓋層表面露出，但是源極和柵極之間的塑封層依然保留；

步驟5：晶圓背面減薄及金屬化步驟

對(duì)晶圓的背面進(jìn)行減薄化處理，然后在減薄化處理后的晶圓背面進(jìn)行金屬化，形成一金屬化層，所述金屬化層與所述漏極電接觸；

步驟6：晶圓背面蝕刻步驟

將晶圓背面對(duì)應(yīng)到晶圓正面劃線道的位置處蝕刻至晶圓正面的銅覆蓋層位置；

步驟7：晶圓背面第一次介質(zhì)沉積及蝕刻步驟

在晶圓背面進(jìn)行介質(zhì)沉積形成一第一介質(zhì)絕緣層，所述第一介質(zhì)絕緣層與銅覆蓋層接觸并覆蓋在所述金屬化層的表面；然后對(duì)每一管芯上的第一介質(zhì)絕緣層進(jìn)行光刻及蝕刻，暴露出管芯背面的漏極和劃片道上的銅覆蓋層以及源極和柵極的銅覆蓋層；

步驟8：晶圓背面金屬濺射及蝕刻步驟

在所述晶圓的背面進(jìn)行金屬濺射形成一金屬濺射層，相鄰管芯上的金屬濺射層與劃片道上的銅覆蓋層以及源極和柵極的銅覆蓋層電連接，即將器件的源極和柵極通過金屬濺射層都引到背面；

步驟9：晶圓背面第二次介質(zhì)沉積及蝕刻步驟

在所述晶圓的背面進(jìn)行介質(zhì)沉積形成一第二介質(zhì)絕緣層，所述第二介質(zhì)絕緣層覆蓋在所有金屬濺射層的表面；然后在每一管芯上的第二介質(zhì)絕緣層上蝕刻出三個(gè)植球窗口，三個(gè)植球窗口分別對(duì)應(yīng)于器件的源極、漏極和柵極；

步驟10：植球步驟

在每個(gè)植球窗口內(nèi)各植球或者電鍍銅柱；

步驟11：切片步驟

切斷劃片道形成一個(gè)管芯，每個(gè)管芯上具有植球或者銅柱制作的源極、漏極和柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的一種功率器件的CSP封裝方法，其特征在于，在所述步驟5之后，對(duì)晶圓正面的塑封層再研磨。