[發明專利]進氣集成結構、工藝腔室和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201811267482.1
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN111101110B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 王勇飛;蘭云峰;王帥偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明公開了一種進氣集成結構、工藝腔室和半導體處理設備。進氣集成結構包括：進氣件，設置有工藝氣體通道；封堵件，所述封堵件與所述進氣件可轉動地連接；磁性組件，所述磁性組件包括第一磁性件和第二磁性件，所述第一磁性件與所述封堵件連接，所述第二磁性件與所述進氣件連接；并且，所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一者的磁極可變，以在所述第一磁性件和所述第二磁性件之間產生方向不同的磁力，所述磁力能夠驅動所述封堵件轉動，以使得所述封堵件封堵或開啟所述工藝氣體通道。利用磁性組件之間的磁力，可以實現自動封堵或自動開啟工藝氣體通道，可以提高設備的自動化程度，消除人為因素影響顆粒問題的分析，降低造作人員勞動強度。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種進氣集成結構和一種半導體處理設備。

背景技術

近年來，半導體設備發展迅速，涉及半導體、集成電路、太陽能電池板、平面顯示器、微電子、發光二極管等，而這些器件主要是由在襯底上形成的數層材質厚度不同的薄膜組成。這些成膜設備包括CVD(化學氣相沉積)、ALD(原子層氣相沉積)等。ALD和CVD工藝設備的工藝管路較多且工藝氣體是從頂蓋上端進入工藝腔室內部。為了取放襯底及維護方便，頂蓋均可開合。所以在工藝腔室上設有進氣件，進氣件上有工藝氣體通道，頂蓋合上后通過設置在進氣件和頂蓋之間的密封圈，使得進氣件的工藝氣體通道和頂蓋上的進氣通道密封連接，保證工藝氣體不泄露。開蓋后，進氣件的工藝氣體通道口暴露大氣且通道口朝上。在放取襯底或擦拭頂蓋下表面時，會有顆粒掉進工藝氣體通道。掉進工藝氣體通道內的顆粒會隨著工藝氣流進入工藝腔室內，落在襯底表面，造成成膜顆粒缺陷，影響器件質量及產品良率。

目前業內技術人員，在開蓋后，一般會用無塵布或破碎硅片遮擋此工藝氣體通道，但是依然存在污染管路的可能而且不符合半導體要求，有時甚至會忘掉此操作，現有的遮擋方法人為因素較大且不確定遮擋合格。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種進氣集成結構、一種工藝腔室以及一種半導體處理設備。

為了實現上述目的，本發明的第一方面，提供了一種進氣集成結構，用于選擇性地向工藝腔室內提供工藝氣體，所述進氣集成結構包括：

進氣件，所述進氣件設置有工藝氣體通道；

封堵件，所述封堵件與所述進氣件可轉動地連接；

磁性組件，所述磁性組件包括第一磁性件和第二磁性件，所述第一磁性件與所述封堵件連接，所述第二磁性件與所述進氣件連接；并且，

所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一者的磁極可變，以在所述第一磁性件和所述第二磁性件之間產生方向不同的磁力，所述磁力能夠驅動所述封堵件轉動，以使得所述封堵件封堵或開啟所述工藝氣體通道。

可選地，所述第一磁性件為永磁鐵，所述第二磁性件為電磁鐵。

可選地，所述電磁鐵包括電磁本體部以及分別位于所述電磁本體部兩端的第一電磁部和第二電磁部，所述第一電磁部的線圈繞向與所述第二電磁部的線圈繞向方向相反。

可選地，所述永磁鐵包括第一永磁鐵和第二永磁鐵，所述第一永磁鐵與所述第一電磁部相對設置，所述第二永磁鐵與所述第二電磁部相對設置，并且，所述第一永磁鐵和所述第二永磁鐵具有相同磁性的一端固定在一起。

可選地，所述進氣件上設置有凹槽，用于容納第二磁性件。

可選地，所述封堵件上設置有至少一個第一轉動部，所述進氣件上設置有至少一個第二轉動部；并且，

所述第一轉動部與對應地所述第二轉動部相配合，以使得所述封堵件相對所述進氣件轉動，以使得所述封堵件封堵或開啟所述工藝氣體通道。

可選地，所述第一轉動部為孔結構，所述第二轉動部為銷結構，所述銷結構插置在所述孔結構中。