[發(fā)明專利]進(jìn)氣集成結(jié)構(gòu)、工藝腔室和半導(dǎo)體處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811267482.1 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111101110B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王勇飛;蘭云峰;王帥偉 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 結(jié)構(gòu) 工藝 半導(dǎo)體 處理 設(shè)備 | ||
1.一種工藝腔室,包括腔室本體、蓋設(shè)在所述腔室本體上的頂蓋、夾設(shè)在所述頂蓋與所述腔室本體之間的進(jìn)氣集成結(jié)構(gòu)以及電流換向開關(guān)件,其特征在于,所述進(jìn)氣集成結(jié)構(gòu)包括:
進(jìn)氣件,所述進(jìn)氣件設(shè)置有工藝氣體通道,所述工藝氣體通道能夠選擇性地將所述頂蓋上的進(jìn)氣孔與所述腔室本體內(nèi)部連通,以向所述工藝腔室內(nèi)提供工藝氣體;
封堵件,所述封堵件與所述進(jìn)氣件可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接;
磁性組件,所述磁性組件包括第一磁性件和第二磁性件,所述第一磁性件與所述封堵件連接,所述第二磁性件與所述進(jìn)氣件連接;并且,
所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一者的磁極可變,以在所述第一磁性件和所述第二磁性件之間產(chǎn)生方向不同的磁力,所述磁力能夠驅(qū)動(dòng)所述封堵件轉(zhuǎn)動(dòng),以使得所述封堵件封堵或開啟所述工藝氣體通道;
其中,磁極可變的所述第一磁性件或所述第二磁性件為電磁鐵,所述電流換向開關(guān)件與繞設(shè)在所述電磁鐵上的線圈電連接,以切換所述線圈內(nèi)的電流方向,在所述頂蓋開啟時(shí),所述頂蓋能夠與所述電流換向開關(guān)件抵接,在所述頂蓋關(guān)閉時(shí),所述頂蓋脫離所述電流換向開關(guān)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述第一磁性件為永磁鐵,所述第二磁性件為電磁鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室,其特征在于,所述電磁鐵包括電磁本體部以及分別位于所述電磁本體部兩端的第一電磁部和第二電磁部,所述第一電磁部的線圈繞向與所述第二電磁部的線圈繞向方向相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工藝腔室,其特征在于,所述永磁鐵包括第一永磁鐵和第二永磁鐵,所述第一永磁鐵與所述第一電磁部相對(duì)設(shè)置,所述第二永磁鐵與所述第二電磁部相對(duì)設(shè)置,并且,所述第一永磁鐵和所述第二永磁鐵具有相同磁性的一端固定在一起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的工藝腔室,其特征在于,所述進(jìn)氣件上設(shè)置有凹槽,用于容納所述第二磁性件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的工藝腔室,其特征在于,所述封堵件上設(shè)置有至少一個(gè)第一轉(zhuǎn)動(dòng)部,所述進(jìn)氣件上設(shè)置有至少一個(gè)第二轉(zhuǎn)動(dòng)部;并且,
所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)部與對(duì)應(yīng)地所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)部相配合,以使得所述封堵件相對(duì)所述進(jìn)氣件轉(zhuǎn)動(dòng),以使得所述封堵件封堵或開啟所述工藝氣體通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝腔室,其特征在于,所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)部為孔結(jié)構(gòu),所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)部為銷結(jié)構(gòu),所述銷結(jié)構(gòu)插置在所述孔結(jié)構(gòu)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝腔室,其特征在于,所述封堵件上對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)所述第一轉(zhuǎn)動(dòng)部,所述進(jìn)氣件上對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)所述第二轉(zhuǎn)動(dòng)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室,其特征在于,所述電流換向開關(guān)件設(shè)置在所述腔室本體上,且位于所述頂蓋一側(cè)。
10.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的工藝腔室。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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