[發(fā)明專利]一種磁場探測器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811264285.4 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN108983122A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 中山科立特光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/02 | 分類號: | G01R33/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 528458 廣東省中*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬導(dǎo)體 磁場探測器 導(dǎo)電有機(jī)物 肖特基結(jié) 肖特基勢壘 磁場影響 容置凹槽 絕緣層 電場 絕緣導(dǎo)線 左右兩側(cè) 磁場 填充 測量 外圍 檢測 | ||
本發(fā)明涉及一種磁場探測器,包括N型半導(dǎo)體,設(shè)置于N型半導(dǎo)體上方的導(dǎo)電有機(jī)物層,所述N型半導(dǎo)體與導(dǎo)電有機(jī)物層接觸面中部設(shè)置有容置凹槽,并且該容置凹槽內(nèi)填充有金屬導(dǎo)體,并且金屬導(dǎo)體外圍包裹有絕緣層,所述金屬導(dǎo)體的左右兩側(cè)還連接有絕緣導(dǎo)線;該磁場探測器,使用導(dǎo)電有機(jī)物與N型半導(dǎo)體組成的肖特基結(jié),不會受磁場影響,通過磁場影響包裹在肖特基結(jié)內(nèi)包裹的金屬導(dǎo)體,使得金屬導(dǎo)體產(chǎn)生與肖特基結(jié)相反的電場,從而對肖特基勢壘產(chǎn)生影響,通過測量肖特基勢壘的變化從而對磁場進(jìn)行檢測。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁場探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種磁場探測器。
背景技術(shù)
磁場測量技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)探傷、生物醫(yī)學(xué)、軍事技術(shù)、空間科學(xué)等領(lǐng)域,如磁性材料的研究、地質(zhì)勘探,磁導(dǎo)航、同位素分離、電子束和離子束加工裝置以及人造衛(wèi)星等,成為一種不可或缺的測量技術(shù)手段 ;磁場測量技術(shù)的發(fā)展也日新月異,目前,常用的磁場測量方法有磁通門法,霍爾效應(yīng)法,磁阻效應(yīng)法,磁共振法,超導(dǎo)效應(yīng)法和磁光效應(yīng)法等 ;每種方法測量的精度,測量磁場強(qiáng)度范圍各不相同;現(xiàn)有基于霍爾效應(yīng)法的磁場探測器對于磁場的探測,容易受到環(huán)境因素的影響,特別是容易受到溫度的影響,而且輸出的信號是非線性輸出,需要進(jìn)行非線性和溫度矯正。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有基于霍爾效應(yīng)法的磁場探測器存在的不足。
為此,本發(fā)明提供了一種磁場探測器,包括N型半導(dǎo)體,設(shè)置于N型半導(dǎo)體上方的導(dǎo)電有機(jī)物層,所述N型半導(dǎo)體與導(dǎo)電有機(jī)物層接觸面中部設(shè)置有容置凹槽,并且該容置凹槽內(nèi)填充有金屬導(dǎo)體,并且金屬導(dǎo)體外圍包裹有絕緣層,所述金屬導(dǎo)體的左右兩側(cè)還連接有絕緣導(dǎo)線。
所述容置凹槽為長方形。
所述導(dǎo)電有機(jī)物層為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、聚雙炔中的任意一種。
所述N型半導(dǎo)體為ZnO、 TiO2 、V2O5中的任意一種。
所述絕緣導(dǎo)線外圍包裹有絕緣材料。
所述N型半導(dǎo)體的下方、導(dǎo)電有機(jī)物層的上方還設(shè)置有電極。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的這種磁場探測器,不僅結(jié)構(gòu)簡單,而且具有更好的抗干擾性,解決了現(xiàn)有的基于霍爾效應(yīng)法的磁場探測器在進(jìn)行磁場的探測時,容易環(huán)境因素的影響,而且輸出的信號是非線性輸出,需要進(jìn)行非線性和溫度矯正的缺陷,使用導(dǎo)電有機(jī)物與N型半導(dǎo)體組成的肖特基結(jié),不會受磁場影響,通過磁場影響包裹在肖特基結(jié)內(nèi)包裹的金金屬導(dǎo)體,使得金屬導(dǎo)體產(chǎn)生與肖特基結(jié)相反的電場,從而對肖特基勢壘產(chǎn)生影響,通過測量肖特基勢壘的變化從而對磁場進(jìn)行檢測。
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
附圖說明
圖1是磁場探測器結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是磁場探測器的電場分布示意圖。
圖中:1、N型半導(dǎo)體;2、導(dǎo)電有機(jī)物層;3、絕緣層;4、金屬導(dǎo)體;5、絕緣導(dǎo)線;6、電極。
具體實施方式
為進(jìn)一步闡述本發(fā)明達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的具體實施方式、結(jié)構(gòu)特征及其功效,詳細(xì)說明如下。
實施例1
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