[發(fā)明專利]一種磁場探測器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811264285.4
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN108983122A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種磁場探測器，其特征在于:包括N型半導(dǎo)體（1），設(shè)置于N型半導(dǎo)體（1）上方的導(dǎo)電有機(jī)物層（2），所述N型半導(dǎo)體（1）與導(dǎo)電有機(jī)物層（2）接觸面中部設(shè)置有容置凹槽，并且該容置凹槽內(nèi)填充有金屬導(dǎo)體（4），并且金屬導(dǎo)體（4）外圍包裹有絕緣層（3），所述金屬導(dǎo)體（4）的左右兩側(cè)還連接有絕緣導(dǎo)線（5）。

2.如權(quán)利要求1所述的一種磁場探測器，其特征在于：所述容置凹槽為長方形。

3.如權(quán)利要求1或2所述的一種磁場探測器，其特征在于：所述導(dǎo)電有機(jī)物層（2）為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、聚雙炔中的任意一種。

4.如權(quán)利要求1所述的一種磁場探測器，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體（1）為ZnO、 TiO₂ 、V₂O₅中的任意一種。

5.如權(quán)利要求1所述的一種磁場探測器，其特征在于：所述絕緣導(dǎo)線（5）外圍包裹有絕緣材料。

6.如權(quán)利要求1所述的一種磁場探測器，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體（1）的下方、導(dǎo)電有機(jī)物層（2）的上方還設(shè)置有電極（6）。