[發(fā)明專利]光刻膠清洗劑及半導體基板上光刻膠的清洗方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811261209.8
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111103770A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設計）人: 王世哲
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞新科技術研究開發(fā)有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發(fā)明公開了一種光刻膠清洗劑及半導體基板上光刻膠的清洗方法，其中，公開的所述光刻膠清洗劑，包括有機溶劑及腐蝕抑制劑；所述有機溶劑含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；所述腐蝕抑制劑含有氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚。公開的所述半導體基板上光刻膠的清洗方法為：用所述光刻膠清洗劑清洗半導體基板。本發(fā)明能夠提高對半導體基板上的光刻膠的清洗效果。

技術領域

本發(fā)明涉及光刻膠清洗技術領域，尤其涉及一種光刻膠清洗劑及半導體基板上光刻膠的清洗方法。

背景技術

通常，半導體要經(jīng)過離子刻蝕或化學氣相沉積兩個工序，這些都需要在半導體基板上，粘上光刻膠來完成。因而，工序完成后，由于基板上布滿了光刻膠和硅的雜質(zhì)，需要進行清洗，以滿足半導體基板的循環(huán)再利用。目前對半導體基板上的光刻膠的清洗方式為：對光刻膠進行刷洗，而現(xiàn)有的這種清洗方式對半導體基板上的光刻膠的清洗效果并不理想。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種光刻膠清洗劑及半導體基板上光刻膠的清洗方法，能夠提高對半導體基板上的光刻膠的清洗效果。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一實施例提供了一種光刻膠清洗劑，其包括有機溶劑及腐蝕抑制劑；

所述有機溶劑含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；

所述腐蝕抑制劑含有氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚。

作為上述方案的改進，所述光刻清洗劑的各組分的重量百分比分別為：二甲基苯甲醇1～3％，聚氧化丙烯三醇0.1～0.5％，壬基聚氧乙烯醚4～8％，對氨基苯甲酸甲酯1～5％，兒茶酚1～5％，余量為水。

作為上述方案的改進，所述光刻清洗劑的各組分的重量百分比分別為：二甲基苯甲醇2％，聚氧化丙烯三醇0.3％，壬基聚氧乙烯醚6％，對氨基苯甲酸甲酯3％，兒茶酚3％，余量為水。

本發(fā)明另一實施例提供了一種半導體基板上光刻膠的清洗方法，其包括步驟：

S1，用上述任一方案的光刻膠清洗劑對待清洗的半導體基板進行清洗。

作為上述方案的改進，在用所述光刻膠清洗劑清洗所述半導體基板時，清洗溫度為60-80℃，清洗時間為1-3小時。

作為上述方案的改進，在所述步驟S1之后，所述半導體基板上光刻膠的清洗方法還包括：

S2，對清洗劑清洗后的所述半導體基板進行刷洗；

S3，將所述半導體基板放入去離子水中并進行超聲波震動清洗，之后烘干。

作為上述方案的改進，在所述步驟S3中，超聲波頻率為18～22KHz，去離子水的清洗溫度為30～40℃，清洗時間為15～25min，并采用45～55℃的熱風進行烘干，烘干時間為8～12分鐘。

作為上述方案的改進，在所述步驟S3之后，所述半導體基板上光刻膠的清洗方法還包括：

S4，將所述半導體基板放入乙醇中并進行超聲波震動清洗，之后烘干。

作為上述方案的改進，在所述步驟S4中，超聲波頻率為10～15KHz，乙醇的清洗溫度為19～21℃，清洗時間為15～25min，并采用45～55℃的熱風進行烘干，烘干時間為1～3分鐘。