[發(fā)明專利]光刻膠清洗劑及半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811261209.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN111103770A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王世哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種光刻膠清洗劑，其特征在于，包括有機(jī)溶劑及腐蝕抑制劑；

所述有機(jī)溶劑含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；

所述腐蝕抑制劑含有氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于，所述光刻清洗劑的各組分的重量百分比分別為：二甲基苯甲醇1～3％，聚氧化丙烯三醇0.1～0.5％，壬基聚氧乙烯醚4～8％，對(duì)氨基苯甲酸甲酯1～5％，兒茶酚1～5％，余量為水。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻膠清洗劑，其特征在于，所述光刻清洗劑的各組分的重量百分比分別為：二甲基苯甲醇2％，聚氧化丙烯三醇0.3％，壬基聚氧乙烯醚6％，對(duì)氨基苯甲酸甲酯3％，兒茶酚3％，余量為水。

4.一種半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，包括步驟：

S1，用權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的光刻膠清洗劑對(duì)待清洗的半導(dǎo)體基板進(jìn)行清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，在用所述光刻膠清洗劑清洗所述半導(dǎo)體基板時(shí)，清洗溫度為60-80℃，清洗時(shí)間為1-3小時(shí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，在所述步驟S1之后，還包括：

S2，對(duì)清洗劑清洗后的所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行刷洗；

S3，將所述半導(dǎo)體基板放入去離子水中并進(jìn)行超聲波震動(dòng)清洗，之后烘干。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，在所述步驟S3中，超聲波頻率為18～22KHz，去離子水的清洗溫度為30～40℃，清洗時(shí)間為15～25min，并采用45～55℃的熱風(fēng)進(jìn)行烘干，烘干時(shí)間為8～12分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，在所述步驟S3之后，還包括：

S4，將所述半導(dǎo)體基板放入乙醇中并進(jìn)行超聲波震動(dòng)清洗，之后烘干。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板上光刻膠的清洗方法，其特征在于，在所述步驟S4中，超聲波頻率為10～15KHz，乙醇的清洗溫度為19～21℃，清洗時(shí)間為15～25min，并采用45～55℃的熱風(fēng)進(jìn)行烘干，烘干時(shí)間為1～3分鐘。