[發明專利]光掩模及其制作方法和制作顯示器件的方法有效
| 申請號: | 201811260306.5 | 申請日: | 2018-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN109407461B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 謝昌翰;舒適 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 及其 制作方法 制作 顯示 器件 方法 | ||
本發明提供了光掩模及其制作方法和制作顯示器件的方法。該光掩模包括:基板;圖案化遮光層,所述圖案化遮光層設置在所述基板的表面上;平坦化層,所述平坦化層與所述圖案化遮光層位于所述基板的同一表面上,且覆蓋所述圖案化遮光層;以及準直結構,所述準直結構設置在所述平坦化層遠離所述基板的表面上。該光掩模對光具有自準直功能,可適用于對光的準直度要求高的應用環境,進而可使得柔性顯示器中的聚合物墻在制作時無需準直光源,使得聚合物墻的生產更加簡便,且生產設備的集成化高,可顯著降低柔性顯示器中聚合物墻的生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體的,涉及光掩模及其制作方法和制作顯示器件的方法。
背景技術
在相關技術中,聚合物墻用于支撐和粘附柔性顯示器的上基板和下基板,同時聚合物墻還可以在柔性顯示器彎折時用于固定液晶盒厚,確保顯示質量。為了實現較小的線寬和較高的外觀準直度,聚合物墻在制作過程中必須經過高度準直的光進行照射。然而,目前行業內缺少大型準直光設備,導致聚合物墻的制作難度較高。
因而,現有的制作聚合物墻的相關技術仍有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種對光具有自準直功能、可適用于對光的準直度要求高的應用環境、可使得柔性顯示器中的聚合物墻在制作時無需準直光源、使得聚合物墻的生產更加簡便、生產設備的集成化高、或者可顯著降低柔性顯示器中聚合物墻的生產成本的光掩模。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種光掩模。根據本發明的實施例,該光掩模包括:基板;圖案化遮光層,所述圖案化遮光層設置在所述基板的表面上;平坦化層,所述平坦化層與所述圖案化遮光層位于所述基板的同一表面上,且覆蓋所述圖案化遮光層;以及準直結構,所述準直結構設置在所述平坦化層遠離所述基板的表面上。由于該光掩模包括準直結構,故該光掩模對光具有自準直功能,可適用于對光的準直度要求高的應用環境,進而可使得柔性顯示器中的聚合物墻在制作時無需準直光源,使得聚合物墻的生產更加簡便,且生產設備的集成化高,可顯著降低柔性顯示器中聚合物墻的生產成本。
根據本發明的實施例,所述準直結構包括光子晶體層。
根據本發明的實施例,形成所述光子晶體層的材料包括壓印膠或無機材料。
根據本發明的實施例,所述光子晶體層滿足以下條件的至少之一:厚度為30nm~1mm;光子晶體單元之間的間隔為10nm~5μm。
在本發明的另一個方面,本發明提供了一種制作前面所述的光掩模的方法。根據本發明的實施例,該方法包括:在基板的表面上形成圖案化遮光層;在所述基板與所述圖案化遮光層同一側的表面上形成平坦化層;在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成準直結構,以便得到所述光掩模。該方法操作簡單、方便,容易實現,易于工業化生產,且制作所得的光掩模由于包括準直結構,因此制作所得的光掩模對光具有自準直功能,可適用于對光的準直度要求高的應用環境,進而可使得柔性顯示器中的聚合物墻在制作時無需準直光源,使得聚合物墻的生產更加簡便,且生產設備的集成化高,可顯著降低柔性顯示器中聚合物墻的生產成本。
根據本發明的實施例,所述準直結構為光子晶體層,形成所述光子晶體層的步驟包括:在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成第一壓印膠層;對所述第一壓印膠層進行第一納米壓印處理,以便得到所述光子晶體層。
根據本發明的實施例,在形成所述第一壓印膠層之后,進行所述第一納米壓印處理之前,進一步包括:將所述第一壓印膠層進行第一預固化處理。
根據本發明的實施例,所述準直結構為光子晶體層,形成所述光子晶體層的步驟包括:在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成無機材料層;在所述無機材料層遠離所述平坦化層的表面上形成第二壓印膠層;將所述第二壓印膠層進行第二納米壓印處理,得到刻蝕保護層;以所述刻蝕保護層為掩膜版,對所述無機料層進行刻蝕處理,以便得到所述光子晶體層;去除所述刻蝕保護層。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





