[發(fā)明專利]光掩模及其制作方法和制作顯示器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811260306.5 | 申請日: | 2018-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN109407461B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 謝昌翰;舒適 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 及其 制作方法 制作 顯示 器件 方法 | ||
1.一種光掩模,其特征在于,包括:
基板;
圖案化遮光層,所述圖案化遮光層設置在所述基板的表面上;
平坦化層,所述平坦化層與所述圖案化遮光層位于所述基板的同一表面上,且覆蓋所述圖案化遮光層;以及
準直結構,所述準直結構設置在所述平坦化層遠離所述基板的表面上;
所述準直結構包括光子晶體層。
2.根據(jù)權利要求1所述的光掩模,其特征在于,形成所述光子晶體層的材料包括壓印膠或無機材料。
3.根據(jù)權利要求1所述的光掩模,其特征在于,所述光子晶體層滿足以下條件的至少之一:
厚度為30nm~1mm;
光子晶體單元之間的間隔為10nm~5μm。
4.一種制作權利要求1~3中任一項所述的光掩模的方法,其特征在于,包括:
在基板的表面上形成圖案化遮光層;
在所述基板與所述圖案化遮光層同一側的表面上形成平坦化層;
在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成準直結構,以便得到所述光掩模;其中,所述準直結構為光子晶體層。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶體層的步驟包括:
在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成第一壓印膠層;
對所述第一壓印膠層進行第一納米壓印處理,以便得到所述光子晶體層。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法,其特征在于,在形成所述第一壓印膠層之后,進行所述第一納米壓印處理之前,進一步包括:
將所述第一壓印膠層進行第一預固化處理。
7.根據(jù)權利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶體層的步驟包括:
在所述平坦化層遠離所述基板的表面上形成無機材料層;
在所述無機材料層遠離所述平坦化層的表面上形成第二壓印膠層;
將所述第二壓印膠層進行第二納米壓印處理,得到刻蝕保護層;
以所述刻蝕保護層為掩膜版,對所述無機材料層進行刻蝕處理,以便得到所述光子晶體層;
去除所述刻蝕保護層。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其特征在于,在形成所述第二壓印膠層之后,進行所述第二納米壓印處理之前,進一步包括:
將所述第二壓印膠層進行第二預固化處理。
9.一種制作顯示器件的方法,其特征在于,所述顯示器件中的聚合物墻是利用權利要求1~3中任一項所述的光掩模制作形成的。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





