[發明專利]扇出型天線封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 201811259793.3
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111106075A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498;H01Q1/22
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種扇出型天線封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供支撐基底，于所述支撐基底上形成分離層；

提供半導體芯片，將所述半導體芯片的正面接合于所述分離層的上表面；

采用封裝層包覆所述半導體芯片的側面及底面，所述封裝層包括與所述分離層相接觸的第一面及相對的第二面；

基于所述分離層，分離所述封裝層，以顯露所述半導體芯片的正面；

于所述封裝層的第一面上形成重新布線層，且所述重新布線層與所述半導體芯片電連接；

于所述重新布線層的上表面形成堆疊設置的至少兩層天線結構，所述天線結構與所述重新布線層電連接；

貫穿所述封裝層形成通孔，所述通孔顯漏所述重新布線層中的金屬布線層；

通過所述通孔，形成與所述金屬布線層電連接的金屬凸塊。

2.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述重新布線層的上表面包括堆疊設置的N層所述天線結構，其中N≥3。

3.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述分離層包括在加熱或光照下粘度降低的膠帶。

4.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：形成的扇出型天線封裝結構的翹曲度的范圍包括0.1mm～3.0mm。

5.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光鉆孔法及干法刻蝕中的一種或組合。

6.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述天線結構包括天線金屬連接柱、天線封裝層及天線金屬層。

7.根據權利要求6所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述天線封裝層覆蓋所述天線金屬連接柱且顯漏所述天線金屬連接柱的上表面，所述天線金屬層位于所述天線封裝層的上表面且與所述天線金屬連接柱電連接。

8.根據權利要求6所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述封裝層及所述天線封裝層包括環氧塑封層。

9.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述天線結構的厚度的范圍包括50μm～1000μm。

10.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝方法，其特征在于：所述金屬凸塊凸出于所述通孔。

11.一種扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

重新布線層，所述重新布線層包括相對的第一面及第二面；

堆疊設置的至少兩層天線結構，所述天線結構位于所述重新布線層的第二面上，與所述重新布線層中的金屬布線層電連接；

半導體芯片，位于所述重新布線層的第一面上，所述半導體芯片的正面與所述重新布線層電連接；

封裝層，所述封裝層包覆所述半導體芯片的側面及底面，所述封裝層中包括顯漏所述金屬布線層的通孔；

金屬凸塊，所述金屬凸塊通過所述通孔與所述金屬布線層電連接。

12.根據權利要求11所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述重新布線層的第二面上包括堆疊設置的N層所述天線結構，其中N≥3。

13.根據權利要求11所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述扇出型天線封裝結構的翹曲度的范圍包括0.1mm～3.0mm。

14.根據權利要求11所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述天線結構的厚度的范圍包括50μm～1000μm。

15.根據權利要求11所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于：所述天線結構包括天線金屬連接柱、天線封裝層及天線金屬層。