[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811255948.6
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109904140A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李義福;鄭德泳;姜尚范;樸斗煥;白宗玟;安商燻;吳赫祥;劉禹炅
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);陳曉博

提供了半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置可以包括基底、位于基底上的第一絕緣膜、位于第一絕緣膜中的下金屬層和位于第一絕緣膜上的第二絕緣膜。下金屬層的一部分可以位于第二絕緣膜中，第二絕緣膜可以包括面對基底的下表面和與下表面相對的上表面，并且第二絕緣膜的上表面可以是向上凸出的。半導(dǎo)體裝置還可以包括位于第二絕緣膜上的限定凹部的一部分的阻擋介電膜和位于凹部的由阻擋介電膜限定的所述一部分中并與下金屬層電連接的過孔金屬層。第一絕緣膜和第二絕緣膜可以在豎直方向上順序地堆疊在基底上，并且下金屬層的上表面與基底之間的最長豎直距離可以小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

該專利申請要求于2017年12月7日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2017-0167399號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體上涉及電子領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

由于隨著電子工業(yè)的發(fā)展加速了半導(dǎo)體裝置的縮小，高密度和低功耗的半導(dǎo)體芯片可以是有益的。

為了制造高密度和低功耗的半導(dǎo)體裝置，可以期望減小包括在半導(dǎo)體裝置中的元件(例如，晶體管、導(dǎo)線)的尺寸并且減小在后端(BEOL)工藝中使用的金屬間絕緣膜(例如，導(dǎo)電元件之間的絕緣層)的介電常數(shù)k，同時提高導(dǎo)電元件(例如，導(dǎo)線)之間的介電膜的電阻電容和可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了具有過孔金屬層與下金屬層之間的電連接的可靠性的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例提供了一種通過減少過孔金屬層和應(yīng)當(dāng)與過孔金屬層電絕緣的下金屬層之間的電短路而具有可靠性的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括基底、位于基底上的第一絕緣膜、位于第一絕緣膜中的下金屬層和位于第一絕緣膜上的第二絕緣膜。下金屬層的一部分可以位于第二絕緣膜中，第二絕緣膜可以包括面對基底的下表面和與下表面相對的上表面，并且第二絕緣膜的上表面可以是向上凸出的。半導(dǎo)體裝置還可以包括位于第二絕緣膜上的限定凹部的一部分的阻擋介電膜和位于凹部的由阻擋介電膜限定的所述一部分中并與下金屬層電連接的過孔金屬層。第一絕緣膜和第二絕緣膜可以在豎直方向上順序地堆疊在基底上，并且下金屬層的上表面與基底之間的最長豎直距離可以小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括：基底；第一絕緣膜，位于基底上；第一下金屬層，位于第一絕緣膜中；第二下金屬層，位于第一絕緣膜中并且與第一下金屬層在水平方向上間隔開；第二絕緣膜，位于第一絕緣膜上并且位于第一下金屬層的側(cè)面和第二下金屬層的側(cè)面兩者上；以及過孔金屬層，位于第一下金屬層上并且與第一下金屬層電連接。第一下金屬層和第二下金屬層中的每個的上表面與基底之間的最長豎直距離可以小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置可以包括基底、位于基底上的第一絕緣膜、位于第一絕緣膜中的下金屬層和位于第一絕緣膜上的第二絕緣膜。第二絕緣膜可以包括面對基底的下表面和與下表面相對的上表面，并且第二絕緣膜的上表面可以是向上凸出的。半導(dǎo)體裝置還可以包括位于第二絕緣膜上的阻擋介電膜、位于阻擋介電膜上的限定凹部的一部分的第三絕緣膜以及位于凹部的由第三絕緣膜限定的所述一部分中并且與下金屬層電連接的過孔金屬層。第一絕緣膜和第二絕緣膜可以在豎直方向上順序地堆疊在基底上。下金屬層的上表面與基底之間的最長豎直距離可以小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

將理解的是，本公開不限于上述示例實(shí)施例。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例，本公開的以上和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局圖；