[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201811255948.6
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109904140A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 李義福;鄭德泳;姜尚范;樸斗煥;白宗玟;安商燻;吳赫祥;劉禹炅
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;陳曉博

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底；

第一絕緣膜，位于基底上；

下金屬層，位于第一絕緣膜中；

第二絕緣膜，位于第一絕緣膜上，其中，第二絕緣膜包括面對基底的下表面和與下表面相對的上表面，并且第二絕緣膜的上表面是向上凸出的；

阻擋介電膜，位于第二絕緣膜上，其中，阻擋介電膜限定凹部的一部分；以及

過孔金屬層，位于凹部的由阻擋介電膜限定的所述一部分中并且與下金屬層電連接，

其中，第一絕緣膜和第二絕緣膜在豎直方向上順序地堆疊在基底上，并且

其中，下金屬層的上表面與基底之間的最長豎直距離小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，下金屬層的一部分位于第二絕緣膜中。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述阻擋介電膜包括：

第一蝕刻阻止膜，位于第二絕緣膜上；以及

氧化抑制膜，位于第一蝕刻阻止膜上。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，阻擋介電膜還包括位于氧化抑制膜上的第二蝕刻阻止膜。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋介電膜在過孔金屬層的一部分的側面上延伸。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括位于阻擋介電膜上的第三絕緣膜，

其中，第三絕緣膜在過孔金屬層的一部分的側面上延伸。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括位于阻擋介電膜與第三絕緣膜之間的粘合膜。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，凹部的由阻擋介電膜限定的所述一部分是凹部的下部，

其中，第三絕緣膜限定凹部的上部，并且

其中，第三絕緣膜的限定凹部的上部的部分的側面具有與阻擋介電膜的限定凹部的下部的部分的側面的輪廓不同的輪廓。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，阻擋介電膜的一部分包括限定凹部的彎曲表面，并且

其中，阻擋介電膜的所述部分的彎曲表面是朝向凹部凸出的。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第二絕緣膜的一部分包括面對凹部的彎曲表面，并且

其中，第二絕緣膜的所述部分的彎曲表面是朝向凹部凸出的。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，下金屬層的上表面的寬度等于過孔金屬層的下表面的寬度。

12.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

基底；

第一絕緣膜，位于基底上；

第一下金屬層，位于第一絕緣膜中；

第二下金屬層，位于第一絕緣膜中并且與第一下金屬層在水平方向上間隔開；

第二絕緣膜，位于第一絕緣膜上；以及

過孔金屬層，位于第一下金屬層上并且與第一下金屬層電連接，

其中，第一下金屬層和第二下金屬層中的每個的上表面與基底之間的最長豎直距離小于第二絕緣膜的上表面與基底之間的最長豎直距離。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，第二絕緣膜位于第一下金屬層的側面和第二下金屬層的側面兩者上。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，第二絕緣膜包括面對基底的下表面和與下表面相對的上表面，并且

其中，第二絕緣膜的上表面是向上凸出的。