[發明專利]一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法有效
| 申請號： | 201811255499.5 | 申請日： | 2018-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN109206138B | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 陳常連;梁欣;周詩聰;季家友;黃志良;徐慢 | 申請（專利權）人： | 武漢工程大學 |
| 主分類號： | C04B35/573 | 分類號： | C04B35/573;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立;陳振玉 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 球形 碳化硅 顆粒 制備 方法 | ||
1.一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：1)將碳化硅粉末和氮化硅粉末按質量比1：0.6～1.5混合，得到混合粉末；2)將步驟1)的混合粉末清洗后干燥；3)將步驟2)處理所得混合粉末裝入石墨匣缽，蓋上石墨基片，進行真空燒結，得碳化硅顆粒，且燒結制度分為五個階段：
第一階段是將燒結溫度從室溫逐漸升至1000℃，升溫速率為16℃/min；
第二階段是將燒結溫度從1000℃逐漸升至1500℃，升溫速率為10℃/min；
第三階段是將燒結溫度從1500℃逐漸升至1600℃，升溫速率為7℃/min；
第四階段是將燒結溫度從1600℃逐漸升至2000℃，升溫速率為4℃/min；
第五階段是在2000℃的溫度下保溫。
2.根據權利要求1所述的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：所述氮化硅粉末、碳化硅粉末的粒徑均為0.45～0.55μm。
3.根據權利要求1所述的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：步驟2)中采用在混合粉末中加入無水乙醇進行清洗。
4.根據權利要求1所述的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：步驟3)中燒結的條件為氬氣氛圍，在常壓下燒結。
5.根據權利要求1所述的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：所述燒結溫度為1600℃～2050℃，燒結時間為1.8～5h。
6.根據權利要求1至5任一項所述的一種高球形度的碳化硅顆粒的制備方法，其特征在于：所述碳化硅顆粒的粒徑為1.2μm～2μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢工程大學，未經武漢工程大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811255499.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
