[發明專利]IC芯片輸入過壓保護電路及其保護方法

在審

• 申請號: 201811255278.8
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN109462213A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 何長春;萬益明;張永勝
• 申請（專利權）人: 深圳市睿德電子實業有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/20
• 代理公司: 深圳市金筆知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44297
• 代理人: 胡清方;彭友華

本發明提供一種IC芯片輸入過壓保護電路及其保護方法，其中保護電路包括MOS管和控制電路，MOS管的源極和漏極分別與電路輸入端和IC芯片電路電性連接，控制電路連接在MOS管的源極和柵極之間；當電路輸入端輸入的電壓小于或等于預定電壓時，控制電路控制MOS管的源極和柵極之間存在電位差，MOS管導通，當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，控制電路控制MOS管的源極和柵極之間不存在電位差，MOS管截止。本發明與現有技術相比，具有使用方便、成本低、保護效率高和截止時間快等優點。

技術領域

本發明涉及IC芯片的保護電路技術領域，尤其是涉及一種IC芯片輸入過壓保護電路及其保護方法。

背景技術

在含有電路系統的設備中，由于電路系統正常工作時的輸入電壓并不高，因此傳統的電路系統是電路直接給IC芯片供電。但是當電路系統誤接入高壓時，高壓會將電路系統中的IC芯片燒壞，從而導致整個設備的損壞。為了解決這個問題，人們將IC芯片更換成耐高壓的IC芯片，可是耐高壓的IC芯片會導致成本的上升。

發明內容

為了克服上述問題，本發明提供一種IC芯片輸入過壓保護電路及其保護方法，其成本低，并且保護效率高。

本發明的一種技術方案是：提供一種IC芯片輸入過壓保護電路，包括MOS管和控制電路，所述MOS管的源極和漏極分別與電路輸入端和IC芯片電路電性連接，所述控制電路連接在所述MOS管的源極和柵極之間；當電路輸入端輸入的電壓小于或等于預定電壓時，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間存在電位差，所述MOS管導通，當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間不存在電位差，所述MOS管截止。

作為對本發明的改進，所述控制電路包括第一開關電路和與所述第一開關電路并聯的第一負載；當電路輸入端輸入的電壓小于或等于預定電壓時，所述第一開關電路斷開，當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，所述第一開關電路接通，所述第一負載短路。

作為對本發明的改進，所述第一開關電路包括穩壓二極管、第一三極管和第一限流負載，所述穩壓二極管的正極通過所述第一限流負載接地，所述穩壓二極管的負極與所述第一三極管的基極電性連接，所述第一三極管的集電極和發射極連接在所述MOS管的源極和柵極之間。

作為對本發明的改進，還包括第二負載，所述MOS管的柵極通過所述第二負載接地。

作為對本發明的改進，還包括第二開關電路，所述第二負載通過所述第二開關電路接地。

作為對本發明的改進，所述第二開關電路包括第二限流負載、第三限流負載和第二三極管，信號控制端與所述第二限流負載的一端電性連接，所述第三限流負載的一端接地，所述第二限流負載的另一端和所述第三限流負載的另一端分別與所述第二三極管的基極電性連接，所述第二三極管的集電極和發射極連接在所述第二負載和地之間。

本發明的另一種技術方案是：提供一種IC芯片輸入過壓保護方法，當電路輸入端輸入的電壓小于或等于預定電壓時，控制電路控制MOS管的源極和柵極之間存在電位差，所述MOS管導通，電路輸入端通過所述MOS管給IC芯片電路提供電能；當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間不存在電位差，所述MOS管截止，電路輸入端停止通過所述MOS管給所述IC芯片電路提供電能。

作為對本發明的改進，所述控制電路包括第一開關電路和與所述第一開關電路并聯的第一負載；當電路輸入端輸入的電壓小于或等于預定電壓時，所述第一開關電路斷開，當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，所述第一開關電路接通，所述第一負載短路。

作為對本發明的改進，當電路輸入端輸入的電壓大于預定電壓時，所述第一開關電路中的穩壓二極管導通，所述第一開關電路接通。

作為對本發明的改進，第二開關電路控制與所述MOS管的柵極電性連接的第二負載接地或與地斷開。