[發(fā)明專(zhuān)利]IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路及其保護(hù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811255278.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109462213A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何長(zhǎng)春;萬(wàn)益明;張永勝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 深圳市睿德電子實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H02H7/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H02H7/20;H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市金筆知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44297 | 代理人： | 胡清方;彭友華 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗中山園路*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控制電路 源極 電路輸入端 電位差 輸入過(guò)壓保護(hù)電路 預(yù)定電壓 截止 電性連接 導(dǎo)通 漏極 電路 | ||
1.一種IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：包括MOS管和控制電路，所述MOS管的源極和漏極分別與電路輸入端和IC芯片電路電性連接，所述控制電路連接在所述MOS管的源極和柵極之間；當(dāng)電路輸入端輸入的電壓小于或等于預(yù)定電壓時(shí)，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間存在電位差，所述MOS管導(dǎo)通，當(dāng)電路輸入端輸入的電壓大于預(yù)定電壓時(shí)，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間不存在電位差，所述MOS管截止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：所述控制電路包括第一開(kāi)關(guān)電路和與所述第一開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)的第一負(fù)載；當(dāng)電路輸入端輸入的電壓小于或等于預(yù)定電壓時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi)，當(dāng)電路輸入端輸入的電壓大于預(yù)定電壓時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)電路接通，所述第一負(fù)載短路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：所述第一開(kāi)關(guān)電路包括穩(wěn)壓二極管、第一三極管和第一限流負(fù)載，所述穩(wěn)壓二極管的正極通過(guò)所述第一限流負(fù)載接地，所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與所述第一三極管的基極電性連接，所述第一三極管的集電極和發(fā)射極連接在所述MOS管的源極和柵極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：還包括第二負(fù)載，所述MOS管的柵極通過(guò)所述第二負(fù)載接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：還包括第二開(kāi)關(guān)電路，所述第二負(fù)載通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)電路接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于：所述第二開(kāi)關(guān)電路包括第二限流負(fù)載、第三限流負(fù)載和第二三極管，信號(hào)控制端與所述第二限流負(fù)載的一端電性連接，所述第三限流負(fù)載的一端接地，所述第二限流負(fù)載的另一端和所述第三限流負(fù)載的另一端分別與所述第二三極管的基極電性連接，所述第二三極管的集電極和發(fā)射極連接在所述第二負(fù)載和地之間。
7.一種IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)方法，其特征在于：當(dāng)電路輸入端輸入的電壓小于或等于預(yù)定電壓時(shí)，控制電路控制MOS管的源極和柵極之間存在電位差，所述MOS管導(dǎo)通，電路輸入端通過(guò)所述MOS管給IC芯片電路提供電能；當(dāng)電路輸入端輸入的電壓大于預(yù)定電壓時(shí)，所述控制電路控制所述MOS管的源極和柵極之間不存在電位差，所述MOS管截止，電路輸入端停止通過(guò)所述MOS管給所述IC芯片電路提供電能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)方法，其特征在于：所述控制電路包括第一開(kāi)關(guān)電路和與所述第一開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)的第一負(fù)載；當(dāng)電路輸入端輸入的電壓小于或等于預(yù)定電壓時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi)，當(dāng)電路輸入端輸入的電壓大于預(yù)定電壓時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)電路接通，所述第一負(fù)載短路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)方法，其特征在于：當(dāng)電路輸入端輸入的電壓大于預(yù)定電壓時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)電路中的穩(wěn)壓二極管導(dǎo)通，所述第一開(kāi)關(guān)電路接通。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC芯片輸入過(guò)壓保護(hù)方法，其特征在于：第二開(kāi)關(guān)電路控制與所述MOS管的柵極電性連接的第二負(fù)載接地或與地?cái)嚅_(kāi)。
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