[發明專利]處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法有效
| 申請號: | 201811250812.6 | 申請日: | 2018-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN109712910B | 公開(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發明(設計)人: | 巖畑翔太;樋口鲇美;藤田惠理;藤谷佳禮;真野雅子;竹松佑介;奧谷洋介 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強;金成哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 供給 裝置 以及 方法 | ||
本發明提供處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法。處理液供給裝置包括:供給配管,其輸送貯存處理液的處理液箱內的處理液,將從處理液箱輸送的處理液供給至處理單元;返回配管,其與供給配管分支連接,使供給配管內的處理液返回處理液箱;第一加熱單元,其對在供給配管中設定于比連接有返回配管的分支位置靠上游側的上游側被加熱部分內的處理液進行加熱;第二加熱單元,其對在供給配管中設定于比分支位置靠下游側的下游側被加熱部分內的處理液進行加熱;冷卻單元,其對設定于返回配管的被冷卻部分內的處理液進行冷卻;以及第一過濾器,其在比上游側被加熱部分靠上游側夾裝于供給配管,對處理液中的顆粒進行去除。
本申請主張基于2017年10月26日提出的日本國專利申請2017-207343號的優先權,本申請的全部內容通過在此引用而被納入。
技術領域
本發明涉及向處理基板的處理單元供給處理液的處理液供給裝置、具備該處理液供給裝置的基板處理裝置、以及使用了該處理液供給裝置以及該基板處理裝置的處理液供給方法。
背景技術
成為處理對象的基板例如包括半導體晶圓、液晶表示裝置用基板、有機EL(Electro?luminescence)顯示裝置等FPD(Flat?Panel?Display)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。
在基板處理所使用的處理液中存在顆粒。因此,在將處理液供給至基板的表面之前,必須從處理液中去除顆粒。另一方面,為了效率良好地對基板的表面進行處理,存在希望將加熱的處理液供給至基板的表面的情況。
因此,在美國專利申請公開第2016/247697號說明書所記載的處理液供給系統中,在從藥液箱朝向處理單元輸送的藥液(處理液)所通過的藥液流路中設有加熱器以及過濾器。
發明內容
在過濾器設有多個孔。比該孔的直徑(孔徑)大的粒徑的顆粒由過濾器捕捉。由此,從處理液中去除顆粒。若孔徑比顆粒的粒徑大,則顆粒未由過濾器捕捉而是通過過濾器。
在美國專利申請公開第2016/247697號說明書所記載的處理液供給系統中,通過藥液流路的藥液的一部分經由循環流路返回箱。因此,被加熱器加熱的藥液通過過濾器。過濾器由該加熱的藥液加熱。由此,過濾器膨脹,設于過濾器的孔的孔徑擴大。因此,存在未被過濾器捕捉而通過過濾器的顆粒的數量增大的可能性。因此,有在基板的表面觀測到的顆粒的數量增大的可能性。
因此,本發明的一個目的是提供能夠將充分地去除顆粒、而且被充分地加熱的處理液供給至處理單元的處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法。
本發明提供一種處理液供給裝置,向處理基板的處理單元供給處理液,其特征在于,包括:供給配管,其輸送貯存處理液的處理液箱內的處理液,將從上述處理液箱輸送的處理液供給至上述處理單元;返回配管,其與上述供給配管分支連接,使上述供給配管內的處理液返回上述處理液箱;第一加熱單元,其對在上述供給配管中設定于比連接有上述返回配管的分支位置靠上游側的上游側被加熱部分內的處理液進行加熱;第二加熱單元,其對在上述供給配管中設定于比上述分支位置靠下游側的下游側被加熱部分內的處理液進行加熱;冷卻單元,其對設定于上述返回配管的被冷卻部分內的處理液進行冷卻;以及第一過濾器,其在比上述上游側被加熱部分靠上游側夾裝于上述供給配管,對處理液中的顆粒進行去除。
根據該裝置,第一過濾器在比上游側被加熱部分靠上游側夾裝于供給配管。因此,從處理液箱輸送至供給配管的處理液在由第一加熱單元加熱前通過第一過濾器。
另外,通過供給配管的處理液經由返回配管返回處理液箱。也就是,處理液箱內的處理液通過供給配管以及返回配管而循環。此時,處理液在通過供給配管的上游側被加熱部分時由第一加熱單元加熱,通過返回配管的被冷卻部分時由冷卻單元冷卻。因此,處理液在通過供給配管以及返回配管而循環時,以被充分冷卻的狀態通過第一過濾器。因此,處理液通過供給配管以及返回配管而循環,由此能夠充分地去除處理液中的顆粒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





