[發(fā)明專利]處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811250812.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109712910B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巖畑翔太;樋口鲇美;藤田惠理;藤谷佳禮;真野雅子;竹松佑介;奧谷洋介 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強(qiáng);金成哲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 供給 裝置 以及 方法 | ||
1.一種處理液供給裝置,向處理基板的處理單元供給處理液,其特征在于,包括:
供給配管,其輸送貯存處理液的處理液箱內(nèi)的處理液,將從上述處理液箱輸送的處理液供給至上述處理單元;
返回配管,其與上述供給配管分支連接,使上述供給配管內(nèi)的處理液返回上述處理液箱;
第一加熱單元,其對(duì)在上述供給配管中設(shè)定于比連接有上述返回配管的分支位置靠上游側(cè)的上游側(cè)被加熱部分內(nèi)的處理液進(jìn)行加熱;
第二加熱單元,其對(duì)在上述供給配管中設(shè)定于比上述分支位置靠下游側(cè)的下游側(cè)被加熱部分內(nèi)的處理液進(jìn)行加熱;
冷卻單元,其對(duì)設(shè)定于上述返回配管的被冷卻部分內(nèi)的處理液進(jìn)行冷卻,在由上述第一加熱單元加熱并輸送至上述返回配管的處理液經(jīng)由上述返回配管返回上述處理液箱之前對(duì)該處理液進(jìn)行冷卻;以及
第一過(guò)濾器,其在比上述上游側(cè)被加熱部分靠上游側(cè)夾裝于上述供給配管,對(duì)從上述處理液箱輸送的處理液中的顆粒進(jìn)行去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括第二過(guò)濾器,該第二過(guò)濾器在比上述分支位置靠下游側(cè)夾裝于上述供給配管,對(duì)處理液中的顆粒進(jìn)行去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括開(kāi)閉閥,該開(kāi)閉閥在比上述分支位置靠下游側(cè)夾裝于上述供給配管,上述第二過(guò)濾器在比上述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)夾裝于上述供給配管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括開(kāi)閉閥,該開(kāi)閉閥在比上述分支位置靠下游側(cè)夾裝于上述供給配管,上述第二過(guò)濾器在比上述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)夾裝于上述供給配管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括第三過(guò)濾器,該第三過(guò)濾器在比上述上游側(cè)被加熱部分靠下游側(cè)、而且比上述分支位置靠上游側(cè)夾裝于上述供給配管,對(duì)處理液中的顆粒進(jìn)行去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括第四過(guò)濾器,該第四過(guò)濾器在比上述被冷卻部分靠上游側(cè)夾裝于上述返回配管,對(duì)處理液中的顆粒進(jìn)行去除。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
還包括第五過(guò)濾器,該第五過(guò)濾器在比上述被冷卻部分靠下游側(cè)夾裝于上述返回配管,對(duì)處理液中的顆粒進(jìn)行去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
上述第一加熱單元包括:具有與上述上游側(cè)被加熱部分的外周面對(duì)置的內(nèi)周面的第一筒狀配管;以及向上述上游側(cè)被加熱部分的外周面與上述第一筒狀配管的內(nèi)周面之間供給加熱流體的第一加熱流體供給單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
上述第二加熱單元包括:具有與上述下游側(cè)被加熱部分的外周面對(duì)置的內(nèi)周面的第二筒狀配管;以及向上述下游側(cè)被加熱部分的外周面與上述第二筒狀配管的內(nèi)周面之間供給加熱流體的第二加熱流體供給單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
上述第一加熱單元包括配置于上述供給配管的上述上游側(cè)被加熱部分的第一加熱器,
上述第二加熱單元包括配置于上述供給配管的上述下游側(cè)被加熱部分的第二加熱器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理液供給裝置,其特征在于,
上述冷卻單元包括:具有與上述返回配管的上述被冷卻部分的外周面對(duì)置的內(nèi)周面的第三筒狀配管;以及向上述被冷卻部分的外周面與上述第三筒狀配管的內(nèi)周面之間供給冷卻流體的冷卻流體供給單元。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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