[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811248985.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109713123A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山口達(dá)也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基板 半導(dǎo)體裝置 保護(hù)材料 基板處理裝置 被保護(hù)層 聚合物 制造 去除 低氧氣氛 原料供給 制造工序 解聚 脲鍵 加熱 聚合 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法及基板處理裝置。本發(fā)明提供如下技術(shù)：在制造半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在基板上形成用于保護(hù)被保護(hù)層免受對(duì)該基板進(jìn)行的處理的保護(hù)材料、并在處理后去除該保護(hù)材料時(shí)，能夠防止半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)下降。將聚合用的原料供給至用于制造半導(dǎo)體裝置的基板W的表面，形成由具有脲鍵的聚合物構(gòu)成的保護(hù)材料(15)，所述保護(hù)材料(15)用于保護(hù)設(shè)置在該基板上的應(yīng)該保護(hù)的被保護(hù)層(14)免受對(duì)該基板W進(jìn)行的處理。然后，在基板W的處理后，通過在低氧氣氛中對(duì)該基板W進(jìn)行加熱而使前述聚合物解聚，從而去除保護(hù)材料(15)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及為了制造半導(dǎo)體裝置而在基板上形成具有脲鍵的聚合物后進(jìn)行處理的技術(shù)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，例如，可在半導(dǎo)體晶片(以下記載為晶片)等基板上形成各種膜。在這些膜中，有如下犧牲膜：其為了保護(hù)進(jìn)行蝕刻等處理之前形成于下層側(cè)的膜而形成于該膜的上側(cè)的、在進(jìn)行該處理后被去除。該犧牲膜例如由抗蝕劑等的有機(jī)膜構(gòu)成，可通過例如使用有氧的等離子體處理或在比較高的溫度下的氧化燃燒來(lái)去除。
另外，由于在對(duì)用作層間絕緣膜的多孔質(zhì)的低介電常數(shù)膜進(jìn)行蝕刻、灰化等等離子體處理以進(jìn)行布線的嵌入時(shí)會(huì)損傷低介電常數(shù)膜，因此，為了抑制該損傷，正在研究向孔部嵌入與低介電常數(shù)膜不同的材料，在等離子體處理后不再需要時(shí)去除該材料(嵌入材料)。具體而言，專利文獻(xiàn)1中記載的是，將作為聚合物的PMMA(丙烯酸類樹脂)嵌入，并在對(duì)低介電常數(shù)膜進(jìn)行蝕刻等處理后去除。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利第9,414,445(第2欄第23行～29行、第13欄第51行～53行、權(quán)利要求3)
發(fā)明內(nèi)容
雖然如上所述作為有機(jī)膜的犧牲膜可通過氧化反應(yīng)來(lái)去除，但擔(dān)心通過該去除處理會(huì)導(dǎo)致構(gòu)成導(dǎo)電通路的金屬的表面被氧化，從而影響半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)。雖然通過在犧牲膜的去除工序之后進(jìn)行還原工序可以解決該問題，但如此進(jìn)行還原工序不僅麻煩、而且因工序變多而難以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率的提高。另外，在去除上述專利文獻(xiàn)1的嵌入材料時(shí)，要對(duì)基板進(jìn)行加熱、供給溶劑、進(jìn)而供給微波來(lái)去除PMMA，不僅需要許多工序，而且為了去除PMMA，需要利用等離子體花費(fèi)長(zhǎng)達(dá)20分鐘左右的時(shí)間，而且必須將基板加熱至400℃以上的溫度，因此，非常擔(dān)心對(duì)已經(jīng)形成于基板的元件部分帶來(lái)不良影響。另外，對(duì)于如上所述的犧牲膜或嵌入材料，為了避免半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)下降，要求通過去除處理可靠地去除而不會(huì)作為殘?jiān)鼩埩粼诨迳稀?/p>
本發(fā)明是在這樣的情況下完成的，其目的在于，提供：在制造半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在基板上形成用于保護(hù)被保護(hù)層免受對(duì)該基板進(jìn)行的處理的保護(hù)材料、并在處理后去除該保護(hù)材料時(shí)，能夠防止半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)下降的技術(shù)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，其包括以下工序：將聚合用的原料供給至用于制造半導(dǎo)體裝置的基板的表面，形成由具有脲鍵的聚合物構(gòu)成的保護(hù)材料的工序，所述保護(hù)材料用于保護(hù)設(shè)置在該基板上的應(yīng)該保護(hù)的被保護(hù)層免受對(duì)該基板進(jìn)行的處理；
接著，對(duì)形成有前述保護(hù)材料的前述基板進(jìn)行前述處理的工序；和，
接下來(lái)，在低氧氣氛中對(duì)前述基板進(jìn)行加熱而使前述聚合物解聚，從而去除前述保護(hù)材料的工序。
本發(fā)明的基板處理裝置特征在于，其具備：收納用于制造半導(dǎo)體裝置的基板的處理容器，其中，在所述基板上形成有應(yīng)該保護(hù)的被保護(hù)層和由具有脲鍵的聚合物構(gòu)成的保護(hù)材料，所述保護(hù)材料用于保護(hù)前述被保護(hù)層免受對(duì)基板進(jìn)行的處理；
在前述處理容器內(nèi)形成低氧氣氛的低氧氣氛形成部；和，
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