[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及基板處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811248985.4 | 申請日： | 2018-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN109713123A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山口達也 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基板 半導(dǎo)體裝置 保護材料 基板處理裝置 被保護層 聚合物 制造 去除 低氧氣氛 原料供給 制造工序 解聚 脲鍵 加熱 聚合 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：
將聚合用的原料供給至用于制造半導(dǎo)體裝置的基板的表面，形成由具有脲鍵的聚合物構(gòu)成的保護材料的工序，所述保護材料用于保護設(shè)置在該基板上的應(yīng)該保護的被保護層免受對該基板進行的處理；
接著，對形成有所述保護材料的所述基板進行所述處理的工序；和，
接下來，在低氧氣氛中對所述基板進行加熱而使所述聚合物解聚，從而去除所述保護材料的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述保護材料是形成于所述被保護層的上側(cè)的犧牲膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述被保護層是構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電通路的金屬膜，
所述保護材料是層疊在該金屬膜上而形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述被保護層為多孔質(zhì)體，且是所述保護材料嵌入多孔質(zhì)體而形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述低氧氣氛是氧濃度為200ppm以下的氣氛。
6.一種基板處理裝置，其特征在于，其具備：
收納用于制造半導(dǎo)體裝置的基板的處理容器，其中，在所述基板上形成有應(yīng)該保護的被保護層和由具有脲鍵的聚合物構(gòu)成的保護材料，所述保護材料用于保護所述被保護層免受對基板進行的處理；
在所述處理容器內(nèi)形成低氧氣氛的低氧氣氛形成部；和，
加熱部，其中，在所述低氧氣氛中對所述處理容器內(nèi)的基板進行加熱而使所述聚合物解聚，從而去除所述保護材料。
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