[發(fā)明專利]半導體器件封裝及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811247780.4 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN109599344A | 公開(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | D·L·丹尼爾斯;S·R·胡珀;A·J·馬格納斯;J·E·保爾齊 | 申請(專利權(quán))人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 引線框 半導體器件封裝 集成電路封裝 可潤濕性 引線框條 半蝕刻 凹陷 凹座 鋸切 填充 制作 組裝 改進 | ||
1.一種方法,包括以下步驟:
提供引線框條,其具有厚度,包括多個引線框,
其中所述引線框條包括僅部分地穿過所述引線框條的所述厚度的至少一個凹陷,在將所述引線框條切單成單個引線框之后,所述凹陷變?yōu)橐€框的引線的端部的角處的至少一個凹座;
以材料至少部分地填充所述至少一個凹陷;以及
將所述引線框條切單成單個引線框,而所述至少一個凹陷被以所述材料至少部分地填充。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述材料是一種焊料可潤濕材料,并且其中所述焊料可潤濕材料在所述切單步驟之后不被去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述條被加熱以回流所述焊料可潤濕材料,并且其中所述條被允許充分冷卻以在所述切單步驟之前使所述焊料可潤濕材料固化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,包括:在以材料至少部分地填充所述至少一個凹陷的步驟之前:
用模塑料密封所述條。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,包括:在以材料至少部分地填充所述至少一個凹陷的步驟之后:
用模塑料密封所述條。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,在所述切單步驟之后,包括以下步驟:
產(chǎn)生包括單個引線框的半導體器件封裝;以及
安裝所述半導體器件封裝到支撐物,
其中所述焊料可潤濕材料保留在所述凹座中直到所述半導體器件封裝被安裝到所述支撐物。
7.一種半導體器件封裝,包括:
密封在封裝體中的具有多個引線的半導體器件,每個引線有在所述封裝外部的暴露部分;以及
所述引線中的每一個的角處的凹座,每個凹座具有總體上凹形的配置,
其中所述凹座以可潤濕材料至少部分地填充。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件封裝,其中所述半導體器件封裝是QFN型式封裝。
9.一種引線框條,包括:
多個引線框,每個引線框包括:
限定中心開口的外框結(jié)構(gòu);
配置在所述中心開口內(nèi)的管芯焊盤;以及
多個引線,附接于所述外框,并且以彼此間隔開的關(guān)系朝著所述管芯焊盤向內(nèi)延伸。
其中,一個引線框中的每個引線從其管芯焊盤向外延伸并且與從相鄰引線框的管芯焊盤向外延伸的引線形成整體,
其中,所述引線中的每一個包括具有中間部分和兩個端部的細長的被部分蝕刻的凹陷,所述兩個端部的每一個在將所述引線框條切單成單個引線框之后變?yōu)橐€的端部的角處的凹座,并且其中,所述細長的被部分蝕刻的凹陷在切單之前被以材料至少部分地填充。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的引線框條,其中所述材料是焊料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





