[發明專利]一種支持半導體器件高溫老化測試的裝置

在審

• 申請號: 201811246576.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109283449A
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 裴敬;杜建;鄧標華
• 申請（專利權）人: 武漢精鴻電子技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 胡琦旖

本發明屬于半導體老化測試技術領域，公開了一種支持半導體器件高溫老化測試的裝置，包括被測試單元、背板，被測試單元與背板連接，并放置在高溫箱內；背板上設置有第一氣管、第二氣管；被測試單元包括PCB板、ATE單板、DUT、隔熱腔體，DUT位于PCB板的頂面，ATE單板與PCB板的底面連接，隔熱腔體與PCB板的底面連接，ATE單板位于隔熱腔體的內部，隔熱腔體上設置有進氣口、出氣口；進氣口與第一氣管對接，出氣口與第二氣管對接。本發明解決了現有技術中的老化測試裝置難以應用于高溫高速半導體測試的問題。

技術領域

本發明涉及半導體老化測試技術領域，尤其涉及一種支持半導體器件高溫老化測試的裝置。

背景技術

在半導體的TDBI系統中，針對器件規格等級，分為了不同的溫度測試范圍。商業級別器件溫度范圍是0～70℃，工業級器件溫度范圍是-40～+85℃，汽車工業級的器件工作高溫會達到105～125℃，軍工和航天級的器件高溫達到150℃。針對超高溫(>105℃)的半導體測試場景，我們需要尋找一種更可靠、成本更低的解決辦法。同時，在半導體的研發過程中，實驗室環境中也需要進行超高溫的摸底測試，去評估當前制程、工藝的可靠性，同樣需要支持超高溫的測試解決辦法。

現有的技術方案都是將自動測試設備(ATE)和被測試器件(DUT)分開，將DUT放置在溫箱中，支持寬范圍的環境溫度，而ATE放置在常溫環境中。ATE和DUT通過PCB和連接器進行連接，連接如圖1所示。但是該方案無法解決某些特定場景的應用，例如針對高速總線的測試(>1Gbps+)，要求測試設備和被測試單元不能太遠，否則高頻能量衰減過大。

發明內容

本申請實施例通過提供一種支持半導體器件高溫老化測試的裝置，解決了現有技術中的老化測試裝置難以應用于高溫高速半導體測試的問題。

本申請實施例提供一種支持半導體器件高溫老化測試的裝置，包括：被測試單元、背板，所述被測試單元與所述背板連接，所述被測試單元與所述背板均放置在高溫箱內；

所述背板上設置有第一氣管、第二氣管；所述被測試單元包括PCB板、ATE單板、DUT、隔熱腔體，所述DUT位于所述PCB板的頂面，所述ATE單板與所述PCB板的底面連接，所述隔熱腔體與所述PCB板的底面連接，所述ATE單板位于所述隔熱腔體的內部，所述隔熱腔體上設置有進氣口、出氣口；所述進氣口與所述第一氣管對接，所述出氣口與所述第二氣管對接。

優選的，緊貼所述PCB板的底面設置有柔性隔熱材料。

優選的，所述第一氣管、所述第二氣管均設置有鎖止密封機構。

優選的，所述ATE單板通過第一連接器與所述PCB板的底面連接。

優選的，所述隔熱腔體內設置有隔板，所述隔板用于將所述隔熱腔體劃分為兩個連通的空氣腔。

優選的，所述ATE單板上設置有散熱片。

優選的，所述被測試單元通過第二連接器與所述背板連接。

本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點：