[發(fā)明專利]晶圓檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811246369.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109449093B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅聰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種晶圓檢測(cè)方法,用于識(shí)別晶圓表面是否被機(jī)械手刮傷,所述晶圓檢測(cè)方法包括:掃描待檢測(cè)晶圓形成所述待檢測(cè)晶圓的初始圖像;讀取所述初始圖像中的晶圓缺陷的位置信息;根據(jù)所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點(diǎn);若所述晶圓缺陷存在聚類點(diǎn),則對(duì)所述初始圖像進(jìn)行圖像處理;判斷經(jīng)過(guò)圖像處理后的所述初始圖像中的所述晶圓缺陷是否存在直線,若所述晶圓缺陷存在直線,則判定所述待檢測(cè)晶圓表面存在機(jī)械手刮傷。根據(jù)判定結(jié)果就能夠自動(dòng)識(shí)別出在經(jīng)過(guò)不同的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)時(shí),機(jī)械手對(duì)所述晶圓造成的刮傷,無(wú)需人工識(shí)別和測(cè)量,對(duì)晶圓刮傷缺陷的特征提取更加準(zhǔn)確高效。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶圓檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,晶圓刮傷是影響產(chǎn)品良率的重要因素。依照刮傷的特性,晶圓刮傷可以分為宏觀刮傷與細(xì)微刮傷。宏觀刮傷由于刮傷的面積較大,會(huì)造成晶圓直接報(bào)廢,細(xì)微刮傷會(huì)造成晶圓上某些區(qū)域電性能有問(wèn)題,導(dǎo)致良率不佳。在集成電路制造過(guò)程中機(jī)械手可能會(huì)刮傷晶圓,又由于機(jī)械手對(duì)晶圓的刮傷一般屬于細(xì)微刮傷,會(huì)對(duì)晶圓的性能產(chǎn)生不良影響,所以,在集成電路制造過(guò)程中需要對(duì)晶圓是否被機(jī)械手所刮傷進(jìn)行檢測(cè)。
在半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓經(jīng)過(guò)生產(chǎn)步驟中不同的機(jī)臺(tái)。當(dāng)機(jī)臺(tái)的機(jī)械手出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),可能會(huì)造成晶圓表面與機(jī)械手非正常接觸,產(chǎn)生機(jī)械手刮傷。機(jī)械手在晶圓上產(chǎn)生的刮傷的最大特征是:刮傷呈直線狀,且刮傷長(zhǎng)度短,不連續(xù),同一個(gè)機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的刮傷到晶圓中心的距離相同。
晶圓經(jīng)過(guò)掃描機(jī)臺(tái)檢測(cè)后,晶圓會(huì)被自動(dòng)追蹤,沒(méi)有被自動(dòng)追蹤的晶圓則需要進(jìn)行人工判斷,由于機(jī)械手刮傷的特性,導(dǎo)致人工判斷很容易忽略掉晶圓表面產(chǎn)生的刮傷。另外,不僅需要人工判斷晶圓表面是否受到刮傷,并且刮傷到晶圓中心的距離也要依靠人工手動(dòng)去測(cè)量,所以存在很大的人工誤差,進(jìn)而很難判定該刮傷是否為機(jī)械手所造成的。因此,經(jīng)常會(huì)忽略掉機(jī)械手對(duì)晶圓表面造成的刮傷缺陷,對(duì)后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程造成很大的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓檢測(cè)方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓可能被機(jī)械手刮傷但無(wú)法被識(shí)別的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種晶圓檢測(cè)方法,用于檢測(cè)晶圓表面是否被機(jī)械手刮傷,所述晶圓檢測(cè)方法包括:
掃描待檢測(cè)晶圓形成所述待檢測(cè)晶圓的初始圖像;
讀取所述初始圖像中的晶圓缺陷的位置信息;
根據(jù)所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點(diǎn);
若所述晶圓缺陷存在聚類點(diǎn),則對(duì)所述初始圖像進(jìn)行圖像處理;
判斷經(jīng)過(guò)圖像處理后的所述初始圖像中的所述晶圓缺陷是否存在直線,若所述晶圓缺陷存在直線,則判定所述待檢測(cè)晶圓表面存在機(jī)械手刮傷。
可選的,在所述的晶圓檢測(cè)方法中,掃描待檢測(cè)晶圓形成所述待檢測(cè)晶圓的初始圖像后,識(shí)別所述初始圖像中的晶圓缺陷并將所述晶圓缺陷的坐標(biāo)輸入數(shù)據(jù)庫(kù)中,并自所述數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取所述初始圖像中的晶圓缺陷的位置信息。
可選的,在所述的晶圓檢測(cè)方法中,根據(jù)所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點(diǎn)包括:
對(duì)所述位置信息進(jìn)行數(shù)據(jù)聚類分析;
對(duì)經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)聚類分析的所述位置信息去除孤立點(diǎn);
根據(jù)去除孤立點(diǎn)的所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點(diǎn)。
可選的,在所述的晶圓檢測(cè)方法中,當(dāng)判斷所述晶圓缺陷不存在聚類點(diǎn)時(shí),則判定所述待檢測(cè)晶圓表面不存在機(jī)械手刮傷。
可選的,在所述的晶圓檢測(cè)方法中,對(duì)所述初始圖像進(jìn)行圖像處理包括:
將所述初始圖像二值化,以得到二值圖像;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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