[發明專利]晶圓檢測方法有效
| 申請號: | 201811246369.5 | 申請日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN109449093B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 羅聰 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 方法 | ||
1.一種晶圓檢測方法,用于檢測晶圓表面是否被機械手刮傷,其特征在于,所述晶圓檢測方法包括:
掃描待檢測晶圓形成所述待檢測晶圓的初始圖像;
讀取所述初始圖像中的晶圓缺陷的位置信息;
根據所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點;
若所述晶圓缺陷存在聚類點,則對所述初始圖像進行圖像處理;
判斷經過圖像處理后的所述初始圖像中的所述晶圓缺陷是否存在直線,若所述晶圓缺陷存在直線,則判定所述待檢測晶圓表面存在機械手刮傷;
其中,對所述初始圖像進行圖像處理包括:
將所述初始圖像二值化,以得到二值圖像;
去除所述二值圖像中的重復性的晶圓缺陷;
對去除重復性晶圓缺陷的所述二值圖像進行形態學膨脹及形態學去噪。
2.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,掃描待檢測晶圓形成所述待檢測晶圓的初始圖像后,識別所述初始圖像中的晶圓缺陷并將所述晶圓缺陷的坐標輸入數據庫中,并自所述數據庫中讀取所述初始圖像中的晶圓缺陷的位置信息。
3.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,根據所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點包括:
對所述位置信息進行數據聚類分析;
對經過數據聚類分析的所述位置信息去除孤立點;
根據去除孤立點的所述位置信息判斷所述晶圓缺陷是否存在聚類點。
4.如權利要求3所述的晶圓檢測方法,其特征在于,當判斷所述晶圓缺陷不存在聚類點時,則判定所述待檢測晶圓表面不存在機械手刮傷。
5.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,對去除重復性晶圓缺陷的所述二值圖像進行形態學膨脹包括將所述二值圖像中所述晶圓缺陷的斷線區域相連接。
6.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,對去除重復性晶圓缺陷的所述二值圖像進行形態學去噪包括:
對所述二值圖像進行形態學腐蝕;
對經過形態學腐蝕的所述二值圖像進行形態學膨脹;
對經過形態學膨脹的所述二值圖像進行開操作。
7.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,當判斷所述晶圓缺陷不存在直線時,則判定所述待檢測晶圓表面不存在機械手刮傷。
8.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,當判定所述待檢測晶圓表面存在機械手刮傷時,提取所述刮傷的特征。
9.如權利要求8所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述刮傷的特征包括所述刮傷的長度、所述刮傷端點與所述待檢測晶圓中心連線形成的角度和/或所述刮傷到所述晶圓中心的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





