[發明專利]瞬態電壓抑制器有效
| 申請號： | 201811245838.1 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN110034108B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發明（設計）人： | 沈佑書;范美蓮 | 申請（專利權）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 瞬態 電壓 抑制器 | ||
1.一種瞬態電壓抑制器，其特征在于，包括：
一重摻雜基板，為一第一半導體型，該重摻雜基板電性連接于一第一節點；
一第一摻雜層，為一第二半導體型，該第一摻雜層形成于該重摻雜基板上；
一第二摻雜層，為該第一半導體型，該第二摻雜層形成于該第一摻雜層上；
一第一重摻雜區，為該第二半導體型，該第一重摻雜區形成于該第二摻雜層中，且該第一重摻雜區電性連接于一第二節點；
一第二重摻雜區，為該第一半導體型，該第二重摻雜區形成于該第二摻雜層中，且該第二重摻雜區電性連接于該第二節點；以及
多個溝槽，形成于該重摻雜基板中，且每一該溝槽的深度不小于該第一摻雜層的深度，其中，該第一重摻雜區與該第二重摻雜區之間設置有至少一該溝槽，以作為電性隔離，當該第一半導體型為N型時，該第二半導體型為P型，且該第一節點與該第二節點各自為一輸入輸出接腳與一接地端。
2.如權利要求1所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第一摻雜層為一P型磊晶層。
3.如權利要求2所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第二摻雜層為一N型磊晶層。
4.如權利要求2所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第二摻雜層為一N型輕摻雜井型區。
5.如權利要求4所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，形成有該第一重摻雜區的該第二摻雜層可選擇性地移除，使得該第一重摻雜區直接形成于該第一摻雜層中。
6.一種瞬態電壓抑制器，其特征在于，包括：
一重摻雜基板，為一第一半導體型，該重摻雜基板電性連接于一第一節點；
一第一摻雜層，為一第二半導體型，該第一摻雜層形成于該重摻雜基板上；
一第二摻雜層，為該第一半導體型，該第二摻雜層形成于該第一摻雜層上；
一第一重摻雜區，為該第二半導體型，該第一重摻雜區形成于該第二摻雜層中，且該第一重摻雜區電性連接于一第二節點；
一第二重摻雜區，為該第一半導體型，該第二重摻雜區形成于該第二摻雜層中，且該第二重摻雜區電性連接于該第二節點；以及
多個溝槽，形成于該重摻雜基板中，且每一該溝槽的深度不小于該第一摻雜層的深度，其中，該第一重摻雜區與該第二重摻雜區之間設置有至少一該溝槽，以作為電性隔離，當該第一半導體型為P型時，該第二半導體型為N型，且該第一節點與該第二節點各自為一接地端與一輸入輸出接腳。
7.如權利要求6所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第一摻雜層為一N型磊晶層。
8.如權利要求7所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第二摻雜層為一P型磊晶層。
9.如權利要求7所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，該第二摻雜層為一P型輕摻雜井型區。
10.如權利要求9所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，形成有該第一重摻雜區的該第二摻雜層可選擇性地移除，使得該第一重摻雜區直接形成于該第一摻雜層中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
