[發(fā)明專利]含銀薄膜蝕刻液組合物、利用其制造的顯示裝置用陣列基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811245657.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110359049B | 公開（公告）日： | 2021-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張晌勛;權(quán)五柄;崔亨燮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東友精細(xì)化工有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23F1/30 | 分類號(hào)： | C23F1/30;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市中倫律師事務(wù)所 11410 | 代理人： | 楊黎峰;鐘錦舜 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 蝕刻 組合 利用 制造 顯示裝置 陣列 及其 方法 | ||
1.一種含銀薄膜的蝕刻液組合物，相對(duì)于組合物總重量，所述蝕刻液組合物包含：
40.0重量％至60.0重量％的磷酸；
5.0重量％至9.0重量％的硝酸；
0.1重量％至4.0重量％的硝酸鐵；
0.1重量％至5.0重量％的有機(jī)酸鹽；以及
余量的水，但不包含乙酸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其中，所述有機(jī)酸鹽為選自由乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、甲磺酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸和乙二胺四乙酸的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽組成的組中的一者以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述含銀薄膜包含銀或銀合金的單層膜或由所述單層膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜為選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅和氧化銦鎵鋅中的一者以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述銀合金包含：銀；以及選自由鎳、銅、鋅、錳、鉻、錫、鈀、釹、鈮、鉬、鎂、鎢、鏷、鋁和鈦組成的組中的一者以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物，其特征在于，由所述單層膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜為透明導(dǎo)電膜/銀、透明導(dǎo)電膜/銀合金、透明導(dǎo)電膜/銀/透明導(dǎo)電膜、或透明導(dǎo)電膜/銀合金/透明導(dǎo)電膜。
7.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：
步驟a)在基板上形成柵極配線；
步驟b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層；
步驟c)在所述柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；
步驟d)在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；以及
步驟e)形成與所述漏電極連接的像素電極，
其中，所述步驟e)包括在基板上形成含銀薄膜且用根據(jù)權(quán)利要求1所述的含銀薄膜的蝕刻液組合物進(jìn)行蝕刻而形成像素電極或反射膜的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板用于液晶顯示裝置或有機(jī)發(fā)光二極管。
9.一種顯示裝置用陣列基板，其使用根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的蝕刻液組合物蝕刻而成。
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