[發明專利]半導體功率器件的并行測試設備有效
| 申請號: | 201811245260.X | 申請日: | 2018-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN109727882B | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發明(設計)人: | 陳飛;楊宇;都俊興;周杰;張震 | 申請(專利權)人: | 深圳賽意法微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 趙賽;蔡碧慧 |
| 地址: | 518038 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 功率 器件 并行 測試 設備 | ||
1.半導體功率器件的并行測試設備,其用于并行地測量整條引線框架上的半導體功率器件的電性參數,其包括測試頭(100)、連接電纜(200)、和測試電腦(400),其中,借助于所述連接電纜(200),所述測試頭(100)能夠與所述測試電腦(400)通訊連接;
其特征在于:
所述測試頭(100)包括接觸電路板(101)、主控電路板(102)、TIB測試資源接口板(103)、可編程負載加載板(104)、和探針接觸裝置(105);
所述接觸電路板(101)與所述主控電路板(102)及所述TIB測試資源接口板(103)通訊連接;
所述接觸電路板(101)借助于所述探針接觸裝置(105)能夠按接觸方式連接半導體功率器件;所述探針接觸裝置(105)包括多個探針(1051)組成的探針(1051)陣列,所述探針(1051)之間的間隔尺寸與所述引線框架上的封裝單元的芯片引腳之間的間隔尺寸在橫向和縱向上相匹配;
所述測試頭(100)的所述主控電路板(102)能夠通過編程設計控制所述可編程負載加載板(104),動態地分配測試資源,按乒乓測試模式并行地測試半導體功率器件;
所述乒乓測試模式具體為:將已建立測試回路的測試站分成兩組:A組測試站和B組測試站,當所述A組測試站處于待測試狀態,所述測試頭(100)對在所述A組測試站上的半導體功率器件進行并行測試;在完成A組測試后,通過開關控制位按乒乓測試模式控制所述B組測試站處于待測試狀態,所述測試頭(100)對在所述B組測試站上的半導體功率器件進行并行測試。
2.根據權利要求1所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:并行測試設備還包括大功率電壓電流源(300)。
3.根據權利要求2所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述連接電纜(200)包括與所述測試電腦(400)連接的通訊電纜、與所述大功率電壓電流源(300)連接的功率電纜、和與所述測試頭(100)連接的控制電纜。
4.根據權利要求1所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:
半導體功率器件的并行測試設備還包括測試支架(110)和操作機臺(111),其中,所述測試支架(110)用于支承和固定所述測試頭(100),并保證所述操作機臺(111)與所述測試頭(100)之間的相對定位,所述操作機臺(111)包括條式芯片托盤(112)。
5.根據權利要求3所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述主控電路板(102)還包括DCS集成模塊電路板(106)、浮動驅動板卡(107)、和開關控制模塊(108)。
6.根據權利要求1所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述主控電路板(102)還包括TIB板卡接口和第一連接裝置,其中,
TIB板卡接口用于連接所述TIB測試資源接口板(103),所述TIB測試資源接口板(103)包括數字通道和PPMU單元;
第一連接裝置用于連接所述主控電路板(102)與數字通道、PPMU單元。
7.根據權利要求5所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述開關控制模塊(108)包括開關控制位,其中,所述開關控制位能夠驅動微測試收發器,也能夠驅動MOS半導體開關,所述微測試收發器芯片具有16個編程控制開關,所述編程控制開關能夠通過單線協議框架單獨地編程控制。
8.根據權利要求6所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述TIB測試資源接口板(103)包括320個數字通道和64個PPMU單元。
9.根據權利要求7所述的半導體功率器件的并行測試設備,其特征在于:所述開關控制模塊(108)包括240個開關控制位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





