[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811245220.5
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109713102A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 矢羽田孝輔
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

本發明涉及半導體發光器件及其制造方法。提供了具有很難從其剝離的多層膜的半導體發光器件及其制造方法。所述發光器件具有：在第一表面上具有不平坦形狀的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形狀上的第一導電型第一半導體層；在所述第一半導體層上的發光層；在所述發光層上的第二導電型第二半導體層；以及覆蓋所述第一半導體層、所述發光層和所述第二半導體層的至少一部分的第三DBR。所述發光器件是倒裝芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形狀具有未被所述第一半導體層覆蓋而暴露的暴露部。所述第三DBR覆蓋所述不平坦形狀的所述暴露部的至少一部分。

技術領域

本技術涉及倒裝芯片型半導體發光器件及其制造方法。

背景技術

在半導體發光器件中，通過在發光層的阱層中電子與空穴的復合來發光。從發光層發出的光向基底側方向、與基底側相反的方向和其他方向前進。因此，半導體發光器件包括在與基底相對的側具有光提取表面的面上型發光器件和在透明基底側具有光提取表面的倒裝芯片型發光器件。

一些倒裝芯片型發光器件在與基底側相對的表面上具有反射層以反射朝向與基底側相對的表面的光。日本專利申請特許公開(kokai)第2014-053593號公開了在透明電極5上具有多重反射膜8的倒裝芯片型半導體發光器件(參見圖2)。

這樣的多重反射膜(分布式布拉格反射體(distributed bragg reflector)：DBR)通常形成在透明電極或p型半導體層上。然而，這樣的多重反射膜可能從半導體發光器件上剝離。

發明內容

已經構思出本技術以用于解決常規技術中所涉及的上述問題。因此，本技術的一個目的是提供具有很難從其剝離的多重反射膜的半導體發光器件及其制造方法。

在本技術的第一方面中，提供了半導體發光器件，所述發光器件包括：在其第一表面上具有不平坦形狀的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形狀上的第一導電型第一半導體層；在所述第一半導體層上的發光層；在所述發光層上的第二導電型第二半導體層；以及覆蓋所述第一半導體層、所述發光層和所述第二半導體層的至少一部分的DBR。所述半導體發光器件是倒裝芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形狀具有未被所述第一半導體層覆蓋而暴露的暴露部。DBR覆蓋所述不平坦形狀的所述暴露部的至少一部分。

在該半導體發光器件中，DBR很難從半導體發光器件剝離。這是因為DBR覆蓋不平坦基底的不平坦形狀的一部分。DBR通過錨固效應牢固地附著至不平坦基底的不平坦形狀。該半導體發光器件由于多重反射膜覆蓋n型半導體層的側表面而具有高發射提取效率。

本說明書提供了具有很難從其剝離的多重反射膜的半導體發光器件及其制造方法。

附圖說明

當結合附圖考慮時，本技術的各種其他目的、特征和許多附帶優點由于其參考優選實施方案的以下詳細描述變得被更好地理解而將被更容易地認識，在所述附圖中：

圖1是根據第一實施方案的半導體發光器件的結構的示意圖；

圖2是從根據第一實施方案的半導體發光器件的電極側觀察的俯視圖；以及

圖3是示出根據第一實施方案的半導體發光器件的不平坦基底的外周的截面圖。

具體實施方式

下面將參照附圖詳細描述本技術的半導體發光器件及其制造方法的具體實施方案。然而，這些實施方案不應被解釋為將該技術限制于此。下面描述的半導體發光器件的層的沉積結構和電極結構僅為說明性目的而給出，并且還可以采用與其不同的其他沉積結構。附圖中所示各個層的厚度不是實際值，而是概念值。

第一實施方案

1.半導體發光器件