[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811245220.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109713102A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 矢羽田孝輔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 豐田合成株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/46
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/46;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國(guó)

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

不平坦基底，在所述不平坦基底的第一表面上具有不平坦形狀；

在所述不平坦基底的所述不平坦形狀上的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層；

在所述第一半導(dǎo)體層上的發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層；以及

覆蓋所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層的至少一部分的分布式布拉格反射體，其中

所述半導(dǎo)體發(fā)光器件是倒裝芯片型的；

在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形狀具有未被所述第一半導(dǎo)體層覆蓋而暴露的暴露部；以及

所述分布式布拉格反射體覆蓋所述不平坦形狀的所述暴露部的至少一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括：

透明電極，所述透明電極形成在所述第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層上；

第一分布式布拉格反射體，所述第一分布式布拉格反射體形成在所述透明電極上；

p接觸電極，所述p接觸電極形成在所述第一分布式布拉格反射體上并經(jīng)由形成在所述第一分布式布拉格反射體中的窗與所述透明電極接觸；

第二分布式布拉格反射體，所述第二分布式布拉格反射體形成在所述p接觸電極上；

第一p布線電極，所述第一p布線電極形成在所述第二分布式布拉格反射體上并經(jīng)由形成在所述第二分布式布拉格反射體中的窗與所述p接觸電極接觸；

n接觸電極，所述n接觸電極形成在所述第二分布式布拉格反射體上并與所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層接觸；以及

第三分布式布拉格反射體，所述第三分布式布拉格反射體形成在所述第一p布線電極和所述n接觸電極上；以及

其中所述分布式布拉格反射體是所述第一分布式布拉格反射體、所述第二分布式布拉格反射體和所述第三分布式布拉格反射體中的至少一者。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括：

第二p布線電極，所述第二p布線電極形成在所述第三分布式布拉格反射體上并經(jīng)由形成在所述第三分布式布拉格反射體中的窗與所述第一p布線電極接觸；

n布線電極，所述n布線電極形成在所述第三分布式布拉格反射體上并經(jīng)由形成在所述第三分布式布拉格反射體中的窗與所述n接觸電極接觸；

p焊盤(pán)電極，所述p焊盤(pán)電極形成在所述第三分布式布拉格反射體和所述第二p布線電極上；以及

n焊盤(pán)電極，所述n焊盤(pán)電極形成在所述第三分布式布拉格反射體和所述n布線電極上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第三分布式布拉格反射體與所述不平坦形狀的所述暴露部接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括隔離溝槽，其中在所述第一分布式布拉格反射體、所述第二分布式布拉格反射體和所述第三分布式布拉格反射體中僅所述第三分布式布拉格反射體與所述隔離溝槽的側(cè)面接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括隔離溝槽，其中在所述第一分布式布拉格反射體、所述第二分布式布拉格反射體和所述第三分布式布拉格反射體中僅所述第三分布式布拉格反射體與所述隔離溝槽的側(cè)面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述分布式布拉格反射體未覆蓋所述不平坦基底的側(cè)表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述分布式布拉格反射體未覆蓋所述不平坦基底的側(cè)表面。