[發明專利]單晶硅片的制絨方法

有效

• 申請號: 201811244464.1
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109461791B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 周軍;沈波濤;楊健;費正洪
• 申請（專利權）人: 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本發明提供了一種單晶硅片的制絨方法，主要包括：將單晶硅片兩兩相并成一組插入花籃內，再將盛載有單晶硅片的花籃放入制絨液，進行刻蝕反應；再將刻蝕完成的單晶硅片與花籃取出，依次進行高溫清洗與低溫清洗；低溫清洗后的單晶硅片再進行分片；并經后續清洗與干燥，得到一面具有金字塔狀絨面結構的單晶硅片。該制絨方法中高溫清洗過程中，高溫清洗液可促使貼合在一起的單晶硅片分離，有效清洗單晶硅片間的殘留藥液及反應產物；低溫清洗時，兩兩一組的單晶硅片相互貼合，以使得兩兩一組的兩片單晶硅片之間留存一定水分，即使得兩兩一組的單晶硅片實現“外干內濕”的效果，利于分片。

技術領域

本發明涉及太陽能電池生產技術領域，特別涉及一種單晶硅片的制絨方法。

背景技術

硅電池仍是日前應用最為廣泛的一種太陽能電池，緣于硅在地殼中有著極為豐富的儲量，且相比其他類型的太陽能電池，硅電池具有優異的電學性能和機械性能，而如何降低硅電池的生產成本、提高硅電池轉換效率則是業內持續關注的研究重點。就單晶硅電池而言，通常采用堿性化學溶液對硅片表面進行各向異性刻蝕，在單晶硅片表面形成金字塔狀的絨面結構，降低太陽光在單晶硅片表面的反射以降低反射損失。

傳統單晶硅片多采用雙面制絨工藝，即在單晶硅片的兩側表面均反應形成有絨面結構。但雙面制絨的硅片表面刻蝕量較大，厚度減小更明顯，且反應液耗量較大；另一方面，硅片背表面的絨面結構可能影響背電場與背電極與硅片間的歐姆接觸，進而影響相應電池片的電性參數。基于此，業內現公開有硅片的單面制絨工藝，將待制絨的硅片兩兩一組相互貼靠在一起并放入相應花籃的卡槽中進行制絨，且在制絨反應完成后再進行分片清洗，得到單面制絨的硅片。采用上述單面制絨工藝，單晶硅片在刻蝕反應后的分片過程中，由于硅片之間摩擦力較大，會出現分片困難，或導致碎片率上升。

鑒于此，有必要提供一種新的單晶硅片的制絨方法。

發明內容

本發明目的在于提供一種單晶硅片的制絨方法，能夠有效清洗兩兩一組的單晶硅片間的殘留藥液與反應產物，且利于分片。

為實現上述發明目的，本發明提供一種單晶硅片的制絨方法，包括：

將單晶硅片兩兩相并成一組插入花籃內，再將盛載有單晶硅片的花籃放入制絨液，進行刻蝕反應；

將刻蝕完成的單晶硅片與花籃取出，進行高溫清洗，高溫清洗液的溫度設置為不低于40℃；

再將完成高溫清洗的單晶硅片放入低溫清洗液進行低溫清洗；

將低溫清洗后的單晶硅片進行分片。

作為本發明的進一步改進，所述高溫清洗液的溫度設置為40℃～80℃。

作為本發明的進一步改進，刻蝕完成的單晶硅片在高溫清洗液中的清洗時間設置為50～200s。

作為本發明的進一步改進，所述制絨方法還包括將刻蝕完成的單晶硅片放入HF溶液進行酸洗后再進行高溫清洗。

作為本發明的進一步改進，所述HF溶液的質量濃度設置為2％～8％；酸洗溫度設置為35～50℃。

作為本發明的進一步改進，將低溫清洗后的單晶硅片進行分片，再將分片后的單晶硅片放入酸溶液進行酸溶液清洗，所述酸溶液為HF與HCl的混合溶液。

作為本發明的進一步改進，所述酸溶液清洗步驟包括將分片后的單晶硅片依次放入質量濃度為5％～8％的HF溶液、質量濃度為5％～8％的HCl溶液進行清洗。

作為本發明的進一步改進，所述制絨方法還包括在將分片后的單晶硅片進行酸溶液中清洗前，先將分片后的單晶硅片放入堿溶液中進行堿溶液清洗。