[發明專利]單晶硅片的制絨方法

有效

• 申請號: 201811244464.1
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109461791B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 周軍;沈波濤;楊健;費正洪
• 申請（專利權）人: 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種單晶硅片的制絨方法，其特征在于：

將單晶硅片兩兩相并成一組插入花籃內，再將盛載有單晶硅片的花籃放入制絨液，進行刻蝕反應；

將刻蝕完成的單晶硅片與花籃取出，進行高溫清洗，高溫清洗液采用溫度設置為40～80℃的去離子水，有效去除兩兩一組的單晶硅片間的殘留藥液及反應產物；

再將完成高溫清洗的單晶硅片放入低溫清洗液進行低溫清洗，所述低溫清洗液同樣采用去離子水，使得兩兩一組的單晶硅片相互貼合，同組單晶硅片之間留存一定水分；

將低溫清洗后的單晶硅片進行分片。

2.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于：刻蝕完成的單晶硅片在高溫清洗液中的清洗時間設置為50～200s。

3.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于：所述制絨方法還包括將刻蝕完成的單晶硅片放入HF溶液進行酸洗后再進行高溫清洗。

4.根據權利要求3所述的制絨方法，其特征在于：所述HF溶液的質量濃度設置為2％～8％；酸洗溫度設置為35～50℃。

5.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于：將低溫清洗后的單晶硅片進行分片，再將分片后的單晶硅片放入酸溶液進行酸溶液清洗，所述酸溶液為HF與HCl的混合溶液。

6.根據權利要求5所述的制絨方法，其特征在于：所述酸溶液清洗步驟包括將分片后的單晶硅片依次放入質量濃度為5％～8％的HF溶液、質量濃度為5％～8％的HCl溶液進行清洗。

7.根據權利要求5或6所述的制絨方法，其特征在于：所述制絨方法還包括在將分片后的單晶硅片進行酸溶液清洗前，先將分片后的單晶硅片放入堿溶液進行堿溶液清洗。

8.根據權利要求7所述的制絨方法，其特征在于：所述堿溶液包括質量濃度為1％～3％的KOH以及質量濃度為1％～5％的H₂O₂，所述堿溶液的溫度設置為50～70℃；分片后的單晶硅片放入所述堿溶液中進行清洗的時間為100～200s。

9.根據權利要求1所述的制絨方法，其特征在于：所述制絨液包括質量濃度為1％～3％的KOH或NaOH，刻蝕反應的時間設置為300～1200s，刻蝕反應的溫度設置為60～85℃。