[發明專利]加工設備

在審

• 申請號: 201811243543.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109801825A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 藍詠萱;陳家瑋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

部分實施例提供一種加工設備。加工設備包括具有一氣體出口的一加工腔。加工設備還包括一泵。泵與氣體出口連通并配置通過氣體出口從加工腔排出氣體。加工設備還包括一交疊模塊。交疊模塊包括多個支撐元件和多個內部通氣板。多個支撐元件沿一縱軸方向配置，并且每個內部通氣板具有多個氣孔。多個內部通氣板中的至少一個位于彼此相鄰設置的兩個支撐構件之間。

技術領域

本發明實施例涉及一種加工設備，特別涉及具在真空環境下處理半導體晶圓的加工設備。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，簡稱IC)產業成長迅速，材料與設計等技術不斷地進步，使得每一新一世代產品的電路愈趨微縮復雜。在IC演進過程中，功能密度(functional density，即每芯片面積中所連接的元件數量)大體是逐步增加，而幾何尺寸(即工藝制作出的最小組件或線路尺寸)則是逐步下降。尺度降低可帶來增加生產效率及降低成本的好處，但也因此增加IC工藝的復雜度。

制造IC通常是以一或多片晶圓作為一“批(lot)”通過一系列的制造工具(即“工藝工具”)進行。通常每一工藝工具供對一批晶圓進行一制造工序。例如，一特定工藝工具可執行膜層層疊、圖樣化、摻雜、或熱處理。詳細地說，是將所需的材料膜層疊加到暴露出的晶圓表面上來實現膜層層疊，將一或多層膜層中選定的部分移除來實現圖樣化，將摻雜物從晶圓表面直接滲入硅材料中而制作p-n接面來實現摻雜，將晶圓加熱以產生特定效果(如，趨入摻雜物或退火)以進行熱處理。

雖然現有的工藝設備大致上都符合其所需的使用目的，但卻仍無法滿足所有方面的需求。

發明內容

本公開部分實施例提供一種加工設備。加工設備包括具有一氣體出口的一加工腔。加工設備還包括一泵。泵與氣體出口連通并配置通過氣體出口從加工腔排出氣體。加工設備還包括一交疊模塊。交疊模塊包括多個支撐元件和多個內部通氣板。多個支撐元件沿一縱軸方向配置，并且每個內部通氣板具有多個氣孔。多個內部通氣板中的至少一個位于彼此相鄰設置的兩個支撐構件之間。

本公開部分實施例提供了一種用于移除與泵連通的一流道中的顆粒的一交疊模塊。交疊模塊包括沿縱軸方向排列的多個支撐元件。交疊模塊還包括多個內部通風板。每個內部通氣板具有多個氣孔。多個內部通氣板中的至少一個位于彼此相鄰設置的兩個支撐構件之間。另外，多個內部通氣板如是排列使在縱軸方向中的兩個內部通氣板的投影重疊。

本公開部分實施例提供了一種用于移除與泵連通的一流道中的顆粒的一交疊模塊。交疊模塊包括沿縱軸方向配置的一第一支撐構件、一第二支撐元件、及一第三支撐元件。交疊模塊還包括多個內部通風板。每個內部通氣板具有多個氣孔。第一群內部通氣板位于第一支撐元件和第二支撐構件之間。此外，第二群內部通氣板位于第二支撐元件和第三支撐構件之間。第一群內部通氣板和第二群內部通氣板以交錯方式排列。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，附圖并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明：

圖1顯示根據部分實施例的一加工設備的示意圖。

圖2顯示根據部分實施例的一交疊模塊的爆炸圖。

圖3顯示根據部分實施例的一交疊模塊的剖面圖。

圖4顯示根據部分實施例產生一真空在一加工腔內的方法的一階段。

圖5顯示根據部分實施例產生一真空在一加工腔內的方法的一階段。

圖6顯示根據部分實施例的一交疊模塊的剖面圖。

附圖標記說明：

1～加工設備

5～半導體晶圓

10～加工腔