[發明專利]一種半導體清洗方法

在審

• 申請號: 201811243528.6
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN111092012A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 萬知武
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明公開了一種半導體清洗方法，包括：將半導體放入NMP溶液中進行脫膠操作，以去除所述半導體表面上的膠質物體；對進行脫膠操作后的所述半導體進行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一預設溫度下將所述半導體放入去離子水中漂洗第一預設時間；在第二預設溫度下將所述半導體置于乙醇溶液中浸泡第二預設時間；對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥。采用本發明實施例，能有效清除半導體上的殘留物。

技術領域

本發明涉及工件清洗領域，尤其涉及一種半導體清洗方法。

背景技術

在電子產品組裝過程中會由于誤操作出現大量的不合格品，這些不合格品在沒有質量問題的情況下，可以通過返工而重新裝配，但是與外界接觸后的半導體上會有殘留物質，因此重新裝配前要將半導體產品進行清洗，可清除半導體表面的殘留物和污染物，如微粒、有機物和無機物金屬離子等?，F有技術常用的清洗方法中，首先將半導體元件置于氫氟酸清洗，接著，將半導體元件移至去離子水中洗去氫氟酸，最后進行干燥?，F有技術的清洗方法非常粗糙，不能有效的將半導體清洗干凈，而且也不符合減排綠色生產的號召。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種半導體清洗方法，能有效清除半導體上的殘留物。

為實現上述目的，本發明實施例提供了一種半導體清洗方法，包括：

將半導體放入NMP溶液中進行脫膠操作，以去除所述半導體表面上的膠質物體；

對進行脫膠操作后的所述半導體進行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一預設溫度下將所述半導體放入去離子水中漂洗第一預設時間；在第二預設溫度下將所述半導體置于乙醇溶液中浸泡第二預設時間；

對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥。

與現有技術相比，本發明公開的半導體清洗方法，首先將半導體放入NMP溶液中進行脫膠操作，以去除所述半導體表面上的膠質物體；然后，對進行脫膠操作后的所述半導體進行清洗操作，從而徹底清除所述半導體表面上的殘留物；最后，對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥。解決了現有技術中的清洗方法非常粗糙，不能有效的將半導體清洗干凈，而且也不符合減排綠色生產的號召的問題，能有效清除半導體上的殘留物，且所述NMP溶液不會對環境造成污染，所述乙醇溶液也可以循環再用，完全可以達到綠色環保的要求。

作為上述方案的改進，所述脫膠操作包括：

將所述半導體放入NMP溶液中進行第一次浸泡；其中，浸泡溫度為45～55℃，浸泡時長為20～25min；

將所述半導體放入NMP溶液中進行第二次浸泡；其中，浸泡溫度為50～60℃，浸泡時長為20～25min。

作為上述方案的改進，所述第一預設溫度為20～30℃；所述第一預設時間為15～25min。

作為上述方案的改進，所述第二預設溫度為20～23℃；所述第二預設時間為15～25min。

作為上述方案的改進，所述對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥，具體包括：

用氣槍將所述半導體表面的液體吹干。

作為上述方案的改進，所述在第一預設溫度下將所述半導體放入去離子水中漂洗第一預設時間后，還包括：

將所述半導體靜置晾干，靜置溫度為20～30℃。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的一種半導體清洗方法的流程圖。

具體實施方式