[發明專利]一種半導體清洗方法在審
| 申請號： | 201811243528.6 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN111092012A | 公開（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發明（設計）人： | 萬知武 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 清洗 方法 | ||
1.一種半導體清洗方法，其特征在于，包括：
將半導體放入NMP溶液中進行脫膠操作，以去除所述半導體表面上的膠質物體；
對進行脫膠操作后的所述半導體進行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一預設溫度下將所述半導體放入去離子水中漂洗第一預設時間；在第二預設溫度下將所述半導體置于乙醇溶液中浸泡第二預設時間；
對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥。
2.如權利要求1所述的半導體清洗方法，其特征在于，所述脫膠操作包括：
將所述半導體放入NMP溶液中進行第一次浸泡；其中，浸泡溫度為45～55℃，浸泡時長為20～25mi n；
將所述半導體放入NMP溶液中進行第二次浸泡；其中，浸泡溫度為50～60℃，浸泡時長為20～25mi n。
3.如權利要求1所述的半導體清洗方法，其特征在于，所述第一預設溫度為20～30℃；所述第一預設時間為15～25mi n。
4.如權利要求1所述的半導體清洗方法，其特征在于，所述第二預設溫度為20～23℃；所述第二預設時間為15～25mi n。
5.如權利要求1所述的半導體清洗方法，其特征在于，所述對進行清洗操作后的所述半導體進行干燥，具體包括：
用氣槍將所述半導體表面的液體吹干。
6.如權利要求1所述的半導體清洗方法，其特征在于，所述在第一預設溫度下將所述半導體放入去離子水中漂洗第一預設時間后，還包括：
將所述半導體靜置晾干，靜置溫度為20～30℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
