[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811242525.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109698236B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 山田文生
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創新株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李銘;盧吉輝

公開了一種實現場板的半導體裝置。半導體裝置包括源電極、柵電極和漏電極；絕緣膜，至少覆蓋漏電極；場板，包括與柵電極重疊的第一部分和不與柵電極重疊的第二部分；以及與源電極連接的源極互連件。本發明的半導體裝置的特征在于第一部分和第二部分均與源極互連件電連接。

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求于2017年10月24日提交的日本專利申請No.2017-205093的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置，尤其涉及一種主要由氮化物半導體材料制成的半導體裝置。

背景技術

日本專利申請特開No.JP2008-277604A已經公開了一種具有場板的半導體裝置類型的場效應晶體管(FET)。主要由氮化物半導體材料制成的半導體裝置有時提供場板，以便緩和在其柵電極邊緣處感應的電場。場板通常利用其間的絕緣膜覆蓋柵電極，并且可以在剛剛去除同時發生的高漏極偏壓與深柵極偏壓的剛性條件之后抑制漏電流的減小，這通常被稱為漏極電流崩塌。場板還將柵電極與漏電極隔離開。

場板通常與源電極連接，使得場板延伸到圍繞裝置的有源區的無源區并且與從源電極延伸的源極互連件(source?interconnection)接觸，其中場板、源電極和源極互連件的那些布置已在例如上述的相關專利文獻中被公開。然而，場板可能在由柵電極的一側固有地形成的階梯處破裂。

發明內容

本發明的一個方面涉及一種半導體裝置，其包括源電極、漏電極、和柵電極；絕緣膜；場板；和源極互連件。那些電極沿縱向延伸。絕緣膜至少覆蓋柵電極并在柵電極和漏電極之間延伸。場板提供第一部分和第二部分，第一部分與柵電極重疊，絕緣膜插入在場板和柵電極之間，并且第二部分不與柵電極重疊，第二部分在柵電極和漏電極之間的絕緣膜上延伸。源極互連件與源電極接觸并從其延伸。本發明的半導體裝置的特征在于，不僅場板的第二部分與源極互連件電連接，而且第一部分與源極互連件電連接。

附圖說明

從下文參照附圖對本發明優選實施例的詳細描述中，將更好地理解前述和其他目的、方面和優點，其中：

圖1是示出根據本發明的實施例的半導體裝置的平面圖；

圖2A和圖2B是分別沿圖1中的線IIa-IIa和IIb-IIb截取的圖1中所示的半導體裝置的截面圖；

圖3A和圖3B分別是在形成圖1中所示的半導體裝置的過程中的平面圖和截面圖，其中圖3B是沿圖3A中所示的線IIIb-IIIb所截??；

圖4A和圖4B分別是在形成圖1中所示的半導體裝置的過程中的平面圖和截面圖，其中圖4B是沿圖4A中所示的線IVb-IVb所截??；

圖5A和圖5B分別是在形成圖1中所示的半導體裝置在形成其的過程中的平面圖和截面圖，其中圖5B是沿圖5A中所示的線Vb-Vb所截??；

圖6A和圖6B分別是在形成圖1中所示的半導體裝置在形成其的過程中的平面圖和截面圖，其中圖6B是沿圖6A中所示的線VIb-VIb所截?。?/p>

圖7是具有場板的常規半導體裝置的平面圖；以及

圖8A至圖8C是圖7中所示的常規半導體裝置的截面圖，其中圖8A至圖8C分別是沿圖7中所示的線VIIIa-VIIIa、VIIIb-VIIIb、VIIIc-VIIIc所截取。

具體實施例

接下來，將參照附圖描述根據本發明的實施例。然而，本發明不限于所述實施例，并且具有在所附權利要求所限定的范圍以及在該范圍內的所有變化和修改及其等同物。在附圖的描述中，彼此相同或相似的數字或符號將指代彼此相同或相似的元件而不重復說明。