[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811242525.0
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109698236B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 山田文生
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創新株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李銘;盧吉輝

1.一種半導體裝置，包括：

各自沿縱向延伸的源電極、柵電極和漏電極；

絕緣膜，其至少覆蓋所述柵電極并在所述柵電極和所述漏電極之間延伸；

場板，其具有第一部分和第二部分，所述第一部分與所述柵電極重疊，所述絕緣膜插入在所述第一部分與所述柵電極之間，所述第二部分不與所述柵電極重疊并在所述柵電極和所述漏電極之間的所述絕緣膜上延伸；以及

源極互連件，其與所述源電極電連接并從所述源電極延伸，

其中，所述第一部分和所述第二部分與所述源極互連件電連接，

所述半導體裝置還包括有源區和圍繞所述有源區的無源區，所述源電極、所述漏電極和所述柵電極存在于所述有源區中，

其中，所述柵電極在所述無源區中的所述源電極的外側區域中具有延伸部分，所述延伸部分被所述場板的所述第一部分覆蓋并被所述第二部分圍繞，所述絕緣膜插入在所述延伸部分和所述場板的所述第一部分之間，

其中，所述場板在其所述第一部分和所述第二部分在所述源電極的所述外側區域中與所述源極互連件接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，所述場板的所述第一部分與所述第二部分彼此物理隔離。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，所述源電極和所述漏電極具有沿其縱向的矩形平面形狀，

其中，所述場板在所述源電極的所述外側區域中沿縱向的寬度寬于在所述源電極和所述漏電極之間的區域中沿與所述縱向交叉的橫向的寬度。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，

其中，所述柵電極的厚度為0.3μm至0.7μm，所述場板的厚度為0.1μm至0.3μm。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，

其中，所述絕緣膜的厚度為0.1μm至0.3μm。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，

其中，所述源極互連件的厚度為4μm至6μm。