[發(fā)明專利]半導體裝置以及其制作方法

有效

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• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN111092047B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設計）人: 許得彰;林哲賢;黃正鄴;黃俊仁;蘇昱志;王堯展
• 申請（專利權）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體裝置的制作方法，包括：

提供半導體基底，其中多個柵極結構形成于該半導體基底上，源極/漏極區(qū)形成于該半導體基底中且形成于該多個柵極結構之間，且介電層形成于該源極/漏極區(qū)上且位于該多個柵極結構之間；

形成開孔貫穿該源極/漏極區(qū)上的該介電層；

在該開孔中形成第一導電結構的下部；

在該第一導電結構的該下部上以及該開孔的內壁上形成介電間隙壁；

在該開孔中以及該第一導電結構的該下部上形成該第一導電結構的上部，其中該介電間隙壁圍繞該第一導電結構的該上部；以及

在形成該第一導電結構的該下部之前，在該開孔的底部以及該開孔的該內壁上共形地形成導電阻障層，其中，該導電阻障層的最上表面與該介電間隙壁的最上表面共平面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，其中形成該介電間隙壁的步驟包括：

在該第一導電結構的該下部上以及該開孔的該內壁上共形地形成間隙壁材料層；以及

對該間隙壁材料層進行蝕刻制作工藝，用以移除位于該第一導電結構的該下部上的該間隙壁材料層的一部分而形成該介電間隙壁。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，其中該第一導電結構的該上部的材料組成與該第一導電結構的該下部的材料組成相同。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，其中該導電阻障層于該開孔中圍繞該介電間隙壁以及該第一導電結構。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，其中該介電間隙壁于自該開孔的中心指向該多個柵極結構其中的一者的方向上位于該第一導電結構的該上部與該導電阻障層之間。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，還包括：

在該源極/漏極區(qū)與該導電阻障層之間形成硅化物層。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，還包括：

在該多個柵極結構其中的一者上形成第二導電結構，該第二導電結構與該柵極結構電連接，其中該第二導電結構與該第一導電結構的該下部同時形成，且該第一導電結構的該下部的上表面于該半導體基底的厚度方向上低于該第二導電結構的上表面。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制作方法，其中該介電間隙壁在形成該第二導電結構之后以及形成該第一導電結構的該上部之前形成。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的制作方法，其中該第一導電結構與該源極/漏極區(qū)電連接。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體基底；

多個柵極結構，設置于該半導體基底上；

源極/漏極區(qū)，設置于該半導體基底中且設置于該多個柵極結構之間；

介電層，設置于該源極/漏極區(qū)上且位于該多個柵極結構之間；

開孔，貫穿該源極/漏極區(qū)上的該介電層；

第一導電結構，設置于該開孔中，其中該第一導電結構包括：

下部；以及

上部，設置于該下部上；

導電阻障層，設置于該開孔中且圍繞該第一導電結構；以及

介電間隙壁，設置于該第一導電結構的該下部上且圍繞該第一導電結構的該上部，其中該介電間隙壁設置于該導電阻障層以及該第一導電結構的該上部之間，且該導電阻障層的最上表面與該介電間隙壁的最上表面共平面。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中該導電阻障層于該開孔中圍繞該介電間隙壁。

12.如權利要求10所述的半導體裝置，其中該介電間隙壁于自該開孔的中心指向該多個柵極結構其中的一者的方向上位于該第一導電結構的該上部與該導電阻障層之間。

13.如權利要求10所述的半導體裝置，其中該第一導電結構與該源極/漏極區(qū)電連接。