[發(fā)明專利]一種蒸鍍系統(tǒng)及相應(yīng)的蒸鍍及掩膜板清洗方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811234189.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN109182976A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃建寧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黃建寧
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;C23C14/04;C23C14/12
• 代理公司: 北京尚鉞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11723
• 代理人: 王海榮

1.一種蒸鍍系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括第一蒸鍍模塊、第二蒸鍍模塊和清洗模塊；其中，第一蒸鍍模塊包括第一掩膜板、第一對(duì)位室、有機(jī)蒸鍍室和第一分離平臺(tái)；第二蒸鍍模塊包括第二掩膜板、第二對(duì)位室、金屬蒸鍍室和第二分離平臺(tái)；清洗模塊包括加熱室、冷卻室、轉(zhuǎn)換平臺(tái)、清洗單元、卸載臺(tái)和掩膜板儲(chǔ)藏室；清洗模塊中轉(zhuǎn)換平臺(tái)與第一分離平臺(tái)連接、加熱室與第二分離平臺(tái)連接、掩膜板儲(chǔ)藏室與第一對(duì)位室連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍系統(tǒng)，其特征在于，所述第一掩膜板為掩膜板基體；所述第二掩膜板包括掩膜板基體及依次包覆在基體外側(cè)的有機(jī)層和金屬層，其中，有機(jī)層厚度為10μm-30μm，有機(jī)層為蒸鍍酞菁銅或者芳香胺中的一種或多種，金屬層材料為Al或Mg。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱室包括腔室、掩膜板加熱板、真空泵、閥門、傳送裝置、清潔刷、回收盤、氣氛感應(yīng)器和真空探測(cè)器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻室包括：腔室、真空閥門、傳送裝置、風(fēng)槍、水冷管、回收盤和溫度感應(yīng)器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍系統(tǒng)，其特征在于，所述清洗單元包括清洗室和浸潤(rùn)室。

6.一種蒸鍍及掩膜板清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

一、第一對(duì)位

玻璃基板與儲(chǔ)藏室中的第一掩膜板在第一對(duì)位室完成第一對(duì)位，確保玻璃基板需要蒸鍍的區(qū)域與第一掩膜板開口區(qū)域重合，對(duì)位誤差不大于50μm；

二、有機(jī)蒸鍍

對(duì)經(jīng)過(guò)第一對(duì)位的玻璃基板進(jìn)行有機(jī)層蒸鍍；

三、第一分離循環(huán)

在有機(jī)蒸鍍結(jié)束后，玻璃基板與第一掩膜板在第一分離平臺(tái)分離，第一掩膜板再回到第一對(duì)位室和新的玻璃基板貼合，玻璃基板則進(jìn)入第二對(duì)位室；

四、第二對(duì)位

由第一分離平臺(tái)分離出的玻璃基板與第二對(duì)位室中的第二掩膜板完成第二對(duì)位，確保玻璃基板需要蒸鍍的區(qū)域與第二掩膜板開口區(qū)域重合，對(duì)位誤差不大于50μm；

五、金屬蒸鍍

對(duì)經(jīng)過(guò)第二對(duì)位的玻璃基板進(jìn)行金屬層蒸鍍；

六、第二分離循環(huán)

在金屬蒸鍍結(jié)束后，玻璃基板與第二掩膜板在第二分離平臺(tái)分離，第二掩膜板再回到第二對(duì)位室和新的玻璃基板貼合；

七、第一清潔循環(huán)

當(dāng)?shù)谝谎谀ぐ宓哪雍穸冗_(dá)到一定時(shí)，將其從第一分離平臺(tái)傳送至轉(zhuǎn)換平臺(tái)，進(jìn)入清潔單元，待清洗工藝全部結(jié)束后，掩膜板在卸載臺(tái)完成卸載后返回至儲(chǔ)藏室；

八、第二清潔循環(huán)

當(dāng)?shù)诙谀ぐ迥雍穸冗_(dá)到一定時(shí)，將其從第二分離平臺(tái)依次傳送至加熱室和冷卻室對(duì)金屬層進(jìn)行清理，清理完成后，傳送至轉(zhuǎn)換平臺(tái)并進(jìn)入清潔單元，待清洗工藝全部結(jié)束后，掩膜板在卸載臺(tái)完成卸載后返回至儲(chǔ)藏室。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍及掩膜板清洗方法，其特征在于，所述加熱室的真空度為10^-5PA，通過(guò)上部加熱板和底部滾軸型加熱板對(duì)第二掩膜板的基體和第二掩膜板底部進(jìn)行局部加熱，加熱方式采用電阻加熱或者電磁加熱，上部加熱板和底部滾軸型加熱板的形狀取決于第二掩膜板需求，溫度為300℃；加熱室腔室加熱時(shí)間和滾軸加熱板傳送速度根據(jù)掩膜板上金屬層厚度和剝落效果設(shè)定；加熱室內(nèi)設(shè)置氣氛感應(yīng)器和真空探測(cè)器。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述第二掩膜板傳送至冷卻室時(shí)，打開真空閥門，使腔室達(dá)到正常大氣壓水平，然后再對(duì)第二掩膜板表面處理，清理殘余金屬層，并冷卻第二掩膜板，冷卻時(shí)采用上下風(fēng)槍和水冷管冷卻，上下風(fēng)槍溫度應(yīng)由高逐漸到低，可防止掩膜板發(fā)生老化，水冷管采用室溫水，降低腔室溫度；冷卻室設(shè)置溫度感應(yīng)器，可監(jiān)控腔室溫度。