[發(fā)明專利]相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811233402.0
• 申請(qǐng)日: 2013-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN109298591A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木下一樹;飛田敦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大日本印刷株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/34
• 分類號(hào): G03F1/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

本發(fā)明提供一種可使用現(xiàn)有的圖像顯示裝置制造用曝光裝置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未達(dá)到該曝光裝置分辨率極限的尺寸的給定抗蝕圖案的相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法。未達(dá)到曝光裝置分辨率極限的設(shè)計(jì)尺寸的抗蝕圖案形成用相移掩模具備：透明基板、對(duì)來自曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差的相移部、以及鄰接于相移部的非相移部，相移部及非相移部當(dāng)中的至少任一者為未達(dá)到曝光裝置分辨率極限的尺寸，且相移部的尺寸與非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在內(nèi)的圖案區(qū)域的大小是一邊為300mm以上，至少在圖案區(qū)域內(nèi)不含未達(dá)到曝光裝置分辨率極限的尺寸的遮光部。

本申請(qǐng)是2013年2月15日向中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出的題為“相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法”的申請(qǐng)No.201380004907.9的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種用于在被加工材上形成給定的抗蝕圖案的相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器一般具有如下構(gòu)造：將具有用于驅(qū)動(dòng)像素電極的開關(guān)有源元件(薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor))的TFT基板、與包含具有給定的開口部的黑色矩陣及形成于該開口部上的著色層的彩色濾光片基板對(duì)向配置，密封周圍，在其間隙封入及填充有液晶材料。

在該液晶顯示器中，TFT基板上的TFT等可通過如下操作而形成：在形成有包含這些(柵極電極、源極電極、漏極電極等)構(gòu)成材料的薄膜的透明基板上的該薄膜上，形成具有給定的圖案的光致抗蝕膜，以經(jīng)圖案化的光致抗蝕膜作為掩模而進(jìn)行蝕刻。彩色濾光片基板上的黑色矩陣等也可以相同方式形成。

另外，有機(jī)電致發(fā)光(EL，Electro Luminescence)顯示器具有如下構(gòu)造：在透明基板上依次層疊陰極電極、有機(jī)EL膜、陽極電極，并從它們之上通過密封膜等而密封；或者具有如下的構(gòu)造：在TFT基板上依次層疊有機(jī)EL膜、公共電極，并從它們之上通過密封膜等而密封。

在這些有機(jī)EL顯示器中，也與液晶顯示器同樣地，陰極電極、陽極電極、TFT等可通過如下操作而形成：在形成有包含這些構(gòu)成材料的薄膜的透明基板上的該薄膜上，形成具有給定的圖案的光致抗蝕膜，將經(jīng)圖案化的光致抗蝕膜作為掩模而進(jìn)行蝕刻。

在制造這些液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等圖像顯示裝置的過程中，作為在透明基板上形成給定的抗蝕圖案的方法，一般使用光刻法，其是使用具有包含給定的圖案形狀的金屬鉻等的遮光部的光掩模(二元掩模)對(duì)該光致抗蝕膜進(jìn)行曝光及顯影。而且，具有這些電極、TFT等的透明基板為了有助于謀求量產(chǎn)化及降低成本，大多是使用大面積的透明基板(例如，330mm×450mm以上的透明基板)通過多面貼合而生產(chǎn)，故而即便作為當(dāng)在透明基板上形成給定的抗蝕圖案時(shí)使用的曝光裝置，也通常使用具備可統(tǒng)一或分割成多次對(duì)大面積的透明基板進(jìn)行曝光的等倍投影曝光光學(xué)系統(tǒng)的大型曝光裝置。

通過如上所述的光刻法而形成的抗蝕圖案的尺寸(例如，若為線與間隙狀的抗蝕圖案，則是線圖案或間隙圖案的短邊方向的寬度；即線寬)取決于曝光裝置分辨率極限，作為圖像顯示裝置制造用曝光裝置，一般使用分辨率極限為3μm左右的。若為現(xiàn)有的圖像顯示裝置分辨率，則只要可進(jìn)行曝光裝置分辨率極限以上的圖案化便不會(huì)產(chǎn)生問題，但近年來，不斷期望使像素?cái)?shù)增大、具有更高分辨率的圖像顯示裝置的開發(fā)，從而呈低于現(xiàn)有的圖像顯示裝置制造用曝光裝置分辨率極限的尺寸的圖案化的必要性不斷高漲。

在這樣的現(xiàn)狀下，進(jìn)行如下嘗試：將在大規(guī)模集成電路(LSI，Large ScaleIntegration)等半導(dǎo)體裝置的制造過程中用于呈極小的尺寸的圖案化的相移掩模作為圖像顯示裝置的制造過程中的光掩模使用。例如，提出有一種光掩模，其在透明基板上具有透光部(曝光的光透過率為100％)及半透光部(曝光的光透過率為20～60％)，透光部及半透光部當(dāng)中的至少一者具有未達(dá)到3μm的尺寸部分(參照專利文獻(xiàn)1)。

[先前技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]