[發明專利]相移掩模及使用該相移掩模的抗蝕圖案形成方法

在審

• 申請號: 201811233402.0
• 申請日: 2013-02-15
• 公開（公告）號: CN109298591A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 木下一樹;飛田敦
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: G03F1/34
• 分類號: G03F1/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳秋明

1.一種相移掩模，用于通過來自曝光裝置的曝光的光從而將未達到該曝光裝置分辨率極限的設計尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上，其特征在于，

具備：

透明基板；

凹狀或凸狀的相移部，其設置于上述透明基板上，對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差；以及

非相移部，其鄰接于上述相移部，

上述相移部及上述非相移部當中的至少任一者為未達到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸，且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同，

上述相移部及上述非相移部當中的尺寸較小的任一者發揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，另一者發揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，

上述透明基板上的包含上述相移部及上述非相移部在內的圖案區域的大小是一邊為300mm以上，

至少在上述圖案區域內，未設置未達到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸且以遮光膜構成的遮光部。

2.如權利要求1所述的相移掩模，其中，

上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸之比為1∶1.5～1∶5.6、或1.5∶1～5.6∶1。

3.如權利要求1或2所述的相移掩模，其中，

上述相移部的尺寸與鄰接于該相移部的上述非相移部的尺寸的合計值為上述曝光裝置分辨率極限以上。

4.如權利要求1所述的相移掩模，其中，

上述相移部及上述非相移部當中尺寸較小的暗區域的尺寸為0.6μm～2.75μm范圍內，上述相移部及上述非相移部當中尺寸較大的明區域的尺寸與上述暗區域的尺寸之比，是在將上述暗區域的尺寸設為1的情況下，上述明區域的尺寸為1.5以上。

5.如權利要求1、2和4中任一項所述的相移掩模，其中，

在上述圖案區域內，具有為上述曝光裝置分辨率極限以上的尺寸且以遮光膜構成的遮光部。

6.如權利要求1、2和4中任一項所述的相移掩模，其中，

上述凹狀的相移部是設置于上述透明基板的刻蝕部。

7.如權利要求1、2和4中任一項所述的相移掩模，其中，

上述凸狀的相移部是以設置于上述透明基板上的透光膜構成的。

8.一種抗蝕圖案形成方法，將具有未達到曝光裝置分辨率極限的設計尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上，其特征在于，

包含：

使用上述曝光裝置，通過權利要求1～7中任一項的相移掩模，使設置于上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的步驟；以及

通過使經曝光的上述光致抗蝕膜顯影，從而在上述被加工材上形成給定的抗蝕圖案的步驟。

9.一種相移掩模，用于通過來自具備等倍投影曝光光學系統的曝光裝置的曝光的光從而將未達到該曝光裝置分辨率極限的設計尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上，其特征在于，

具備：

透明基板；

凹狀或凸狀的相移部，其設置于上述透明基板上，對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差；以及

非相移部，其鄰接于上述相移部，

上述相移部及上述非相移部當中的至少任一者為未達到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸，且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同，

上述相移部及上述非相移部當中的尺寸較小的任一者發揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，另一者發揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，

上述透明基板上的包含上述相移部及上述非相移部在內的圖案區域的大小是一邊為300mm以上，

至少在上述圖案區域內，未設置未達到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸且以遮光膜構成的遮光部。

10.一種相移掩模，用于通過來自曝光裝置的曝光的光從而將未達到該曝光裝置分辨率極限的設計尺寸的抗蝕圖案形成于被加工材上，其特征在于，

具備：

透明基板；

凹狀或凸狀的相移部，其設置于上述透明基板上，對來自上述曝光裝置的曝光的光賦予給定的相位差；以及

非相移部，其鄰接于上述相移部，

上述相移部及上述非相移部當中的至少任一者為未達到上述曝光裝置分辨率極限的尺寸，且上述相移部的尺寸與上述非相移部的尺寸不同，

上述相移部及上述非相移部當中的尺寸較小的任一者發揮不使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，另一者發揮使上述被加工材上的光致抗蝕膜曝光的功能，

所述相移部的刻蝕深度或厚度根據所述透明基板的厚度、來自上述曝光裝置的曝光的光的波長、構成所述透明基板的材料的折射率而設定。