[發明專利]半導體存儲器器件和半導體存儲器器件中定義數據的方法有效

申請號：	201811233219.0	申請日：	2018-10-23
公開（公告）號：	CN109767802B	公開（公告）日：	2023-10-20
發明（設計）人：	長瀨寬和	申請（專利權）人：	瑞薩電子株式會社
主分類號：	G11C16/10	分類號：	G11C16/10
代理公司：	中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038	代理人：	歐陽帆
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體存儲器器件定義數據方法
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【說明書】：

本公開涉及半導體存儲器器件和半導體存儲器器件中定義數據的方法。提供一種能夠存儲多值數據同時抑制為存儲器單元設置的閾值電壓的增加的半導體存儲器器件。根據實施例的半導體存儲器器件包括多個存儲器單元對，每個存儲器單元對具有第一存儲器單元和第二存儲器單元。第一存儲器單元被配置為設置至少一個閾值電壓，而第二存儲器單元被配置為設置多個閾值電壓。存儲在存儲器單元對中的數據使用第二存儲器單元的閾值電壓和第一存儲器單元的閾值電壓之間的差來定義。

相關申請的交叉引用

于2017年11月9日提交的日本專利申請No.2017-216152的公開內容(包括說明書、附圖和摘要)通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體存儲器器件和在半導體存儲器器件中定義數據的方法，并且涉及例如能夠存儲多值數據的半導體存儲器器件和在半導體存儲器器件中定義數據的方法。

背景技術

近年來，閃存存儲器經常被用作非易失性半導體存儲器器件。多值處理技術被用作用于實現大容量閃存存儲器的技術。日本未審查專利申請公開No.2001-101879公開了通過在存儲器單元中設置多個閾值電壓而在存儲器單元中存儲多值數據的技術。

發明內容

在日本未審查專利申請公開No.2001-101879中公開的技術中，單個存儲器單元中的可能的閾值電壓的范圍被劃分為多個區域，并且不同的數據段被分配給相應的區域，從而在單個存儲器單元中存儲多值數據。

在這種情況下，存儲器單元中的閾值電壓由于例如隨著時間推移的放電而從初始值改變。因此，為了確保數據的唯一性，需要擴展具有分配數據的閾值電壓的范圍，以便防止閾值電壓進入其它數據區域。

但是，如果擴展了具有分配數據的閾值電壓的范圍，則會不利地增加為存儲器單元設置的閾值電壓的值。

其它問題和新特征將通過本說明書的描述和附圖闡明。

根據實施例的半導體存儲器器件包括多個存儲器單元對，每個存儲器單元對具有第一存儲器單元和第二存儲器單元。第一存儲器單元被配置為設置至少一個閾值電壓，而第二存儲器單元被配置為設置多個閾值電壓。存儲在存儲器單元對中的數據使用第二存儲器單元的閾值電壓和第一存儲器單元的閾值電壓之間的差來定義。