[發明專利]半導體存儲器器件和半導體存儲器器件中定義數據的方法

有效

• 申請號: 201811233219.0
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN109767802B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 長瀨寬和
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種半導體存儲器器件，包括多個存儲器單元，

其中存儲器單元具有多個存儲器單元對，每個存儲器單元對具有第一存儲器單元和第二存儲器單元，

其中所述第一存儲器單元被配置為設置至少一個閾值電壓，

其中所述第二存儲器單元被配置為設置多個閾值電壓，以及

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用所述第二存儲器單元的閾值電壓和所述第一存儲器單元的閾值電壓之間的差來定義。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元被配置為設置第一閾值電壓，

其中所述第二存儲器單元被配置為將第二至第四閾值電壓設置為閾值電壓，以及

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用第二閾值電壓和第一閾值電壓之間的差、第三閾值電壓和第一閾值電壓之間的差以及第四閾值電壓和第一閾值電壓之間的差來定義。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器器件，

其中第一至第四閾值電壓被設置為以第一閾值電壓、第二閾值電壓、第三閾值電壓和第四閾值電壓的順序增加，以及

其中電壓差被設置為以第二閾值電壓和第一閾值電壓之間的差、第三閾值電壓和第二閾值電壓之間的差以及第四閾值電壓和第三閾值電壓之間的差的順序增加。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元被配置為設置參考閾值電壓和多個閾值電壓，

其中所述第二存儲器單元被配置為設置參考閾值電壓和多個閾值電壓，以及

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用所述第二存儲器單元的閾值電壓和所述第一存儲器單元的參考閾值電壓之間的差以及所述第一存儲器單元的閾值電壓和所述第二存儲器單元的參考閾值電壓之間的差來定義。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元被配置為將第一閾值電壓設置為參考閾值電壓，并將第二至第四閾值電壓設置為閾值電壓，

其中所述第二存儲器單元被配置為將第五閾值電壓設置為參考閾值電壓，并將第六至第八閾值電壓設置為閾值電壓，以及

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用第六閾值電壓和第一閾值電壓之間的差、第七閾值電壓和第一閾值電壓之間的差、第八閾值電壓和第一閾值電壓之間的差、第二閾值電壓和第五閾值電壓之間的差、第三閾值電壓和第五閾值電壓之間的差以及第四閾值電壓和第五閾值電壓之間的差來定義。

6.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元各自被配置為設置多個閾值電壓，

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用使用所述第一存儲器單元的閾值電壓和所述第二存儲器單元的閾值電壓計算出的閾值電壓差來定義。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器器件，

其中存儲在存儲器單元對中的數據使用閾值電壓的和來進一步定義，所述和使用所述第一存儲器單元的閾值電壓和所述第二存儲器單元的閾值電壓來計算。

8.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元的閾值電壓都是正值或負值。

9.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，

其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的一個存儲器單元的閾值電壓是正值，并且另一個存儲器單元的閾值電壓是負值。

10.如權利要求1所述的半導體存儲器器件，還包括：

閾值電壓檢測部件，其檢測存儲器單元的閾值電壓；以及

存儲器控制器，其控制存儲器單元，

其中，所述存儲器控制器通過使用所述第二存儲器單元的閾值電壓和所述第一存儲器單元的閾值電壓之間的差來讀取存儲在存儲器單元對中的數據，閾值電壓由所述閾值電壓檢測部件來檢測。