[發明專利]一種顯示面板的制作方法和顯示面板在審
| 申請號: | 201811230471.6 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN109585297A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 楊鳳云;卓恩宗 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 氧化物膜層 蝕刻 第一金屬層 緩沖層 漏極層 源極層 柵極層 制作 透明電極層 柵極絕緣層 緩沖材料 曝光顯影 鈍化層 氧化物 產能 光罩 基板 沉積 金屬 節約 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上依次沉積一層金屬、緩沖材料和氧化物,通過同一道光罩蝕刻形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層;
在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層;
在柵極層、源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層。
2.如權利要求1所述的一種顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層的步驟包括:
在所述氧化物膜層上通過半色調掩膜形成包括中部、第一側部、第二側部以及鏤空部的柵極絕緣層;
所述柵極絕緣層的中部的厚度厚于第一側部的厚度,所述柵極絕緣層的中部的厚度高于第二側部的厚度;
所述鏤空部形成在中部和第一側部,以及中部和第二側部之間;
在所述柵極絕緣層上金屬濺渡形成第二層金屬,并通過同一道光罩制程對第二層金屬進行蝕刻得到柵極層、源極層和漏極層;
形成的所述源極層和漏極層通過所述氧化物膜層連接。
3.如權利要求1所述的一種顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層的步驟包括:
在氧化物膜層上沉積形成柵極絕緣沉積層,并在柵極絕緣沉積層上沉積形成柵極金屬層;
通過一道光罩制程對柵極絕緣沉積層和柵極金屬層進行蝕刻,形成柵極絕緣層和柵極層;
在氧化物膜層上通過一道光罩形成包括中部、第一側部、第二側部以及鏤空部的互聯層;
在互聯層的上方形成第二層金屬,并對第二層金屬進行蝕刻得到漏極層和源極層;
所述鏤空部形成在中部和第一側部,以及中部和第二側部之間。
4.如權利要求1所述的一種顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在基板上通過同一道光罩蝕刻依次形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層的步驟包括:
在氧化物膜沉積層上方通過一道光罩形成預設圖案的光阻層;
對所述氧化物膜沉積層的兩側部不重疊于光阻層的部分進行蝕刻得到氧化物膜層;
對所述緩沖層的兩側部且不重疊于氧化物膜層的部分進行蝕刻得到緩沖層;
對所述第一金屬層的兩側部且不重疊于緩沖層的部分進行蝕刻,得到第一金屬層;
剝離清除氧化物膜層上方的光阻層。
5.如權利要求2所述的一種顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在柵極絕緣層上形成第二層金屬,并通過同一道光罩制程蝕刻得到柵極層、源極層和漏極層的步驟中;
所述柵極層位于與柵極絕緣層中部的上方;
所述柵極層的寬度小于柵極絕緣層中部的寬度,源極層和漏極層分別位于柵極絕緣層兩側部上方;
所述源極層、漏極層與柵極層絕緣。
6.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上依次沉積一層金屬、緩沖材料和氧化物;
通過同一道光罩蝕刻依次形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層;
在所述氧化物膜層上通過半色調掩膜形成包括中部、第一側部、第二側部以及鏤空部的柵極絕緣層;
所述柵極絕緣層的中部的厚度厚于第一側部的厚度,所述柵極絕緣層的中部的厚度厚于第二側部的厚度;
所述鏤空部形成在中部和第一側部,以及中部和第二側部之間;
在所述柵極絕緣層上金屬濺渡形成第二層金屬,并通過同一道光罩制程對第二層金屬進行蝕刻得到柵極層、源極層和漏極層,形成的所述源極層和漏極層通過所述氧化物膜層連接;
所述柵極層位于與柵極絕緣層中部的上方;
所述柵極層的寬度小于柵極絕緣層中部的寬度,源極層和漏極層分別位于柵極絕緣層兩側部上方;
所述源極層、漏極層與柵極層絕緣;
在柵極層、源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





